关于逆变器制作的问题请指教！

只看该作者 · 2018-2-4 20:41

我想请问，上述芯片能驱动多少对场效应管？我看的都是小功率的！想做个1KW以上的大功率！是家用工频的！但只有前级，后级慢慢找就是，或者找直接就是工频的！那位师父知道，上面芯片最多能驱动多少对场效应管？最好有能够是工频的线路图！功率大些就行了！谢谢！

只看该作者 · 2018-2-4 20:43

芯片驱动MOS管要从两方面分析，一方面是芯片的驱动能力，另一个是MOS管本身参数。

只看该作者 · 2018-2-4 20:45

理论上MOS是电压驱动，不消耗电流，看起来是一个芯片驱动N个MOS都没问题。实际上MOS有很大的输入电容，高频驱动的时候，MOS的电容危害是很大的。

只看该作者 · 2018-2-4 20:47

驱动能力不够会导致上升沿上不去，下降沿下不来，MOS处在高阻区会高热烧管。

只看该作者 · 2018-2-4 21:15

芯片到底能驱动几个管是要靠实验分析，不能瞎说。

只看该作者 · 2018-2-4 21:17

这些芯片应该算是信号源。根据反馈信号调整输出。脉宽。

只看该作者 · 2018-2-4 21:38

交流有正半周和负半周一根线需要两个管子来拉高和拉低。

只看该作者 · 2018-2-4 21:40

两根线就是4个管子。只要这人格管子（IGBT MOS)功率足够大就能满足。

只看该作者 · 2018-2-4 21:42

这个需要根据你实际的需要进行选择了。

只看该作者 · 2018-2-4 21:45

取决于你要做多大的功率，使用的电源电压及电路和用啥样的管子。

只看该作者 · 2018-2-4 21:47

你需要根据实际情况考虑了。

只看该作者 · 2018-2-4 21:49

芯片驱动的越多损耗就越大。。

关于逆变器制作的问题 请指教！