STM32基础篇 flash 模拟 EEPROM 实验

只看该作者 · 2018-2-17 09:16

STM32 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP（在应用编程）功能，
所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本次试验，我们将利用 STM32 内
部的 FLASH 实现数据的存放，通过串口打印显示存放数据，不过我们是将数据
直接存放在 STM32 内部，而不是存放在 W25Q64。
实验目标：
1. 学习操作 STM32 内部 flash

只看该作者 · 2018-2-17 09:17

STM32 FH LASH 简介
不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到
了 1024K 字节。我们的 STM32 开发板选择的 STM32F103ZET6 的 FLASH 容量为 512K 字节，
属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），大容量产品的闪存模块组织如图所示：

只看该作者 · 2018-2-17 09:18

STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，
其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从
上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000， Boot0、 Boot1 都接 GND 的时候，
就是从 0X08000000 开始运行代码的。

只看该作者 · 2018-2-17 09:18

信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程
序，用于串口下载代码，当 Boot0 接 V3.3， Boot1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代
码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，本次试验不作介绍。
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对
主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压
由内部产生。

只看该作者 · 2018-2-17 09:19

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能
正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
下面我们介绍本次实验要使用到的闪存状态寄存器： FLASH_SR。该寄存器各位描述如图所
示：

只看该作者 · 2018-2-17 09:20

FLASH 解锁
在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，固件库函数实现很简单：
FLASH_Unlock();//解锁

只看该作者 · 2018-2-17 09:21

清除相关的标志位
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPR
TERR);//清除标志位

只看该作者 · 2018-2-17 09:21

擦除函数
固件库提供三个 FLASH 擦除函数：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
这三个函数可以顾名思义了，非常简单。本设计使用的是第一个擦除函数。

只看该作者 · 2018-2-17 09:21

写操作函数
固件库提供了三个 FLASH 写函数：
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
顾名思义分别为： FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字
写入和 8 位字节写入函数。这里需要说明， 32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数
据，写完第一次后地址+2。写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没
啥区别。

只看该作者 · 2018-2-17 09:26

锁定函数
在对 FLASH 写操作完成之后，我们要锁定 FLASH，使用的库函数是：
void FLASH_Lock(void)；

只看该作者 · 2018-2-17 09:26

初始化
void FLASHINIT_FLASH()
{
FLASH_Unlock();//解锁
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|
FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_ErasePage(flash_adr);//要擦出页的起始地址
FLASH_ProgramWord(flash_adr,flash_data);//写数据
//FLASH_ProgramWord(FLASH_ADR+4,data);//接着上面写内容给 flash，每写一次
是一个字即四个字节
FLASH_Lock();//锁定
flash_data=0;
flash_data=(*(u32*)(flash_adr)); //__IO uint32_t
printf("输出 flash_data=%d\r\n",flash_data);
}

只看该作者 · 2018-2-17 09:27

我们要写入的地址是：
#define flash_adr 0x0801f000 //定义主存储器的保存数据的起始地 0x0807F800
写入的数据是：
u32 flash_data=13;

只看该作者 · 2018-2-17 09:28

int main()
{
printf_init(); //printf 初始化
FLASHINIT_FLASH();//flash 初始化
while(1);
}
该函数实现将要写入的数据 13 保存在芯片 FLASH 内，只要复位按下即可读取此数据，通过
串口打印输出

只看该作者 · 2018-2-17 09:32

当程序下载进去后，打开串口，对 DTR 前进行勾选，然后在取消。再通过发送字符即可以显示。

只看该作者 · 2018-2-22 11:54

写之前解锁，写之后上锁

只看该作者 · 2018-2-23 19:28

CaLipton 发表于 2018-2-22 11:54
写之前解锁，写之后上锁

是的

只看该作者 · 2018-6-3 18:01

aizaixiyuanqian 发表于 2018-2-17 09:21
写操作函数
固件库提供了三个 FLASH 写函数：
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_ ...

为什么我调试时一执行写函数FLASH_ProgramWord(）就死机，是哪里的原因，求助，谢谢

只看该作者 · 2018-6-3 18:04

aizaixiyuanqian 发表于 2018-2-17 09:21
擦除函数
固件库提供三个 FLASH 擦除函数：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

我把函简化成下面，就是会死机，万分求助
void FLASHINIT_FLASH(void)
{
FLASH_Unlock();//解锁
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_ErasePage(0x08002a50);//要擦出页的起始地址
FLASH_ProgramWord(0x08002a50,０x1234);//写数据
//是一个字即四个字节
FLASH_Lock();//锁定
}

只看该作者 · 2018-6-17 20:45

gmgmgm 发表于 2018-6-3 18:01
为什么我调试时一执行写函数FLASH_ProgramWord(）就死机，是哪里的原因，求助，谢谢 ...

是不是卡在某个死循环中了。

只看该作者 · 2018-6-17 20:46

gmgmgm 发表于 2018-6-3 18:04
我把函简化成下面，就是会死机，万分求助
void FLASHINIT_FLASH(void)
{

边注释边调试，看下那条语句影响的。

STM32基础篇 flash 模拟 EEPROM 实验

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