NV32Fxx 开发引导及注意事项

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1.＃关于NV32F100x的相关资料：例程包、原理图、及开发相关资料见官网navota.com及QQ群123763203。建议参阅《NVF32F100_参考手册》、《NV32F100_用户手册》以及“库函数中文说明”。

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2.＃关于 NMI引脚（对应 PB4）
NMI引脚又称不可屏蔽中断引脚，低电平有效。开发布板过程中，需留意此引脚，建议外接 4.7KΩ-10K Ω的上拉电阻。尽管在初始化过程后可以禁用 NMI，但是在上电复位前，检测到该脚为低电平，就会进入 NMI的中断程序。

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3.＃关于倍频系数
当前版本的默认倍频系数为 1280，不可选其它。下一版本增加 1024与其它系数，当前版本的时钟计算请参照库函数中文说明-《系统初始化说明》及《内部时钟管理》。
E.g:FEE模式，外部 10M晶振，先分频 256，再倍频 1280 ，得到主频=10000000/256*1280 = 50000000

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4.＃关于用户使用库函数 ETM_SetETMEnhance();这个函数，为什么使用 ETM2可以，而使用 ETM1不行？
当前版本 ETM0，1是基础型，ETM2是增强型（寄存器较 0,1多）。访问不存在的寄存器地址会导致硬故障，该函数为使能 ETM2_MODE_ETMEN位，而 ETM0，1 无该寄存器。
ETM0寄存器有效地址为 0x40038000-0x40038018（2 通道）
ETM1寄存器有效地址为 0x40039000-0x40039018（2 通道）
ETM2寄存器有效地址为 0x4003A000-0x4003A098（6 通道）
详细的寄存器说明请参照《NV32F100x-参考手册》-ETM模块

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5.＃关于内部上拉电阻的问题
内部上拉电阻 40-60K，如果需要强上拉，可以外接。上拉电阻在端口作为输入时有效，输出无效，配置上拉电阻寄存器：PORT_PUEH/PORT_PUEL

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6.＃关于芯片无**常下载的现象
首先查看电源和地是否短路，排除这些因素外，尝试识别内核并解锁，详细信息查阅 NV32解锁教程（需要使用 JLINK)。MCU进入低功耗模式后也会导致无法下载。

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7.＃时钟校准
芯片出厂时主频校准至 48M，使用内部 IRC最高可达 60M，但是建议使用主频在 55M范围内（联系管理员），详细的时钟管理请见《内部时钟管理》。

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8.＃关于 TSSOP20的两个版本
使用 20 脚时应该注意版本，一种为有晶振版本，其 12、13脚为 PB6、PB7;一种为无晶振版本，编号为 NV32F100xT20B，其 12、13 脚为 PH0、PH1。详细说明请见《NV32F100_用户手册 V1.5》。

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9.＃关于开漏引脚 PA2、PA3
该引脚为真开漏引脚（true open-drain I/O）,该引脚上复用 UART0需外部接上拉电阻进行数据传输，注：UART0也可复用到 PB0、PB1引脚上（无须接外部上拉）。

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10.＃关于 ETM模块的时钟问题
ETM时钟可选外接时钟、总线时钟以及固定频率时钟（ICSFFCLK）。

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11.＃关于 NV32的 IO驱动
外接强电流外设，应当做好隔离保护电路。 IO 口的正常驱动能力为 3ma（3.3V）,高驱动口为 6ma（5V），大电流引脚 8 个 20ma（需要手动开启，配置寄存器请见 PORT_HDRVE）。

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12.＃关于 FLASH命令加载函数 EFM_LaunchCMD(uint32_t EFM_CMD)；
该函数需要放置在 SRAM 中运行，在 IAR 开发环境中使用__ramfunc，在 keil 中选定 flash.c 右击-Options-Memory Assignment-Code/Const-IRAM1

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13.＃关于 DEM0板上接 PH2上的 LED灯一直亮的问题
默认状态下 PH2 上接总线时钟输出，可在系统选项寄存器（SIM_SOPT）中配置。库函数中具体操作请参考库函数中文说明系统初始化部分。

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14.＃DEMO 板上部分引脚接有电容使用时需注意。
15.＃对第 7条的修正
后续芯片出厂时主频校准至 40M，建议批量跑 40M以内主频

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16.＃库函数工程以及自建工程修改
（1）.sysinit.c中 sysinit ()里修改 EFMCR &=0xFFFF1103;
（2）.flash.c中 Flash_Init ()里修改 EFMCR=(clkDIV<<24) + 0x00001103; //divide to 1M hz （3）.flash.c中 EFM_LaunchCMD(uint32_t EFM_CMD)中添加

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17.＃在使用 EnableInterrupts;指令，需在后加__asm(“nop”);指令

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