CREATEK达晶微电子针对高频感应加热领域应用的IGBT模块部分...

只看该作者 · 2018-3-6 09:30

本帖最后由 CREATEK 于 2018-3-6 09:34 编辑

CREATEK达晶微电子有限公司于2016年推出针对高频感应加热领域的系列模块，包括1200V50A~1200V100A半桥34mm模块，1200V100A~1200V300A半桥62mm模块和1200V400A/600A单颗62mm IGBT模块。经过长时间的市场检验，我司产品已广泛应用于管道加热、商用电磁炉和表面淬火等多种感应加热领域。

下面我们是针对我司GPU200HF120D2产品与英飞凌FF200R12KS4产品的对比测试结果，英飞凌KS4系列模块在感应加热领域具有广泛的应用，内部芯片采用IGBT第二代技术NPT技术，具有开关速度快，可靠性高的特点，尤其适合表面淬火的应用。我司产品采用与英飞凌KS4同种技术，做到了各项参数的完美匹配，部分参数性能超越英飞凌同款产品。

产品信息：

GPU200HF120D2：达晶 U-D2系列1200V200A产品

FF200R12KS4：英飞凌KS4系列1200V200A产品

对比测试：

1.静态对比测试结果

结果说明：

1）静态对比达晶产品耐压（BVCES）在1400V以上，英飞凌产品为1346V。达晶产品具有更高的耐压。

2）达晶微产品的导通压降（VCESAT）与英飞凌产品基本一致。

2、电容、Rg对比测试结果

结果说明：

1）电容与栅极电阻是器件的重要参数，在IGBT应用时外围电路需要根据选型的IGBT器件进行匹配性设计。

3、动态对比测试结果：

测试条件：VDD=600V,IC=200A,Rg=10Ω，L=500μH，VGE=+15/-15V

结果说明：

1）IGBT作为开关器件，动态参数是最重要的指标，主要包括开通的延迟时间（tdon）和上升时间（tr），关断的延迟时间（tdoff）和下降时间（tf），开通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）。

2）达晶微产品的开通和关断损耗均优于英飞凌产品。达晶产品可以工作在不低于英飞凌产品的开关频率下。

4、动态测试波形对比：

结果说明：

1）前面列出了动态测试的相关数据指标，但是对器件应用中，动态测试过冲中开通和关断的波形极其重要，电流和电压波形如果出现震荡会带来可靠性的风险。

2）达晶微产品与英飞凌产品波形极其相似，但是从参数上我们可以看出达晶产品具有更低的开关损耗。

5、短路测试波形对比

测试目的：高压情况下将器件短路，考验器件在短时间内承受高压大电流冲击的能力。

测试条件：VDD=600V，VGE=+15V /-15V，Rg=10Ω，ts=10μs

结果说明：

1）达晶微产品短路电流略高于英飞凌产品。但是总体短路波形震荡情况差异不大。

2）经过极限测试时间测试，在该测试条件下两器件的短路时间均可达到50μs以上。

总体而言，达晶微产品具有与英飞凌基本一致的静态特性，而达晶微产品具有更优的动态特性，这在客户应用中会有更高的效率，各项参数评估符合市场需求，经过客户一年多的批量验证，满足市场的需求，尤其在表面淬火领域，完美替代英飞凌。

CREATEK达晶微电子针对高频感应加热领域应用的IGBT模块部分...

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