N76E003 的IO口开漏与推挽的区别

1万 · 2018-3-22 21:49

N76E003的中文规格书在I/O端口结构及工作模式里面介绍了四种准双向，其中就包括了开漏与推换，他们两者之间有什么区别呢？

我们先看网友在实际中遇到的问题及回答。

最近发现N76E003的IO开漏接的上拉会被IO又拉低，怎么会这么惨？是这个芯片本身的问题吗？

现象描述： MCU电压3V，VCC电压4V。 VCC通过4.7K电阻接入IO口，IO口设置开漏。输出1 （非0即1），此时IO口电压3.45V左右，输出0，电压0V正常。

开漏端口不彻底？造成的影响是，控制PMOS时，有0.5V压差，造成无法关断。请各位大咖指教。

1万 · 2018-3-22 21:49

开漏和推挽区别在于:

开漏，输出端相当于三极管的集电极，要得到高电平状态需要上拉电阻才行。适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强（一般20ma）。

推挽输出：可以输出高，低电平，连接数字器件。

开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。

开漏模式开漏输出配置关闭所有内部上拉，当端口锁定为逻辑0时，仅打开驱动端口的下拉晶体管。当端口锁存为逻辑1时，它就和输入模式一样。通常用于I2C输出线上，开漏引脚需要加一个外部上拉电阻，典型连一个电阻到VDD。用户需要注意的是，开漏模式输出逻辑1的时候，应该由外部设备或电阻提供一个确定的电平。悬浮的引脚在掉电状态下会引起漏电。

1万 · 2018-3-22 22:26

开漏就是不会输出能量了，只能吸收。

只看该作者 · 2018-3-23 18:27

一个是呼，一个是吸

1万 · 2018-3-24 09:37

开漏的用法你没搞对。

1万 · 2018-3-24 09:39

1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。如图1。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。

1万 · 2018-3-24 16:56

手册上会给个电路示意图的。

只看该作者 · 2018-3-24 17:49

楼主应该没有搞懂这个，手册有那个结构图，你可以看一下，开漏的电路怎么回事。

只看该作者 · 2018-3-25 09:15

瞎胡扯，没有配置好。