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使用MOC30XX驱动三象限可控硅时RC缓冲电路的疑问

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xyr19|  楼主 | 2011-7-20 22:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
可控硅, RC缓冲电路, MOC3061, 脉冲, 感性负载
如果使用三象限可控硅，一般的说法而言，可以省去RC缓冲电路，因为三象限可控硅本身比四象限可控硅，具备很高的DV/DT能力。

但问题是，假如使用MOC3061之类的去驱动三象限可控硅，在关断感性负载时，
可控硅两端的高DV脉冲，也会跨接在MOC3061的输出端，有可能高出3061的耐压值，担心损坏3061的内部那个驱动可控硅。

各位如何考虑这一问题？谢谢。

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xyr19|  楼主 | 2011-7-20 23:03 | 只看该作者
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xyr19|  楼主 | 2011-7-20 23:03 | 只看该作者
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xyr19|  楼主 | 2011-7-21 17:39 | 只看该作者
没有人理啊。。。

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5楼
htxd001| | 2012-5-4 12:09 | 只看该作者
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