发新帖我要提问
123下一页
返回列表
打印

请教PMOS管为什么会DS极击穿

[复制链接]
8598|61
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
chest20090909|  楼主 | 2018-4-9 12:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS, MOS管, PMOS管, os
本帖最后由 chest20090909 于 2018-12-28 09:01 编辑

有个A

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
chunyang| | 2018-4-9 16:57 | 只看该作者
只能说输入存在瞬态过压，要么加压敏保护，要么提高管子耐压。不过，还得注意是否为过流烧毁短路。

使用特权

评论回复 赏
板凳
xch| | 2018-4-9 17:57 | 只看该作者
0.6A ？  电阻负载？ 没有电容？

使用特权

评论回复 赏
地板
lyjian| | 2018-4-9 22:34 | 只看该作者
怎么看，Q4都是多余的

使用特权

评论回复 赏
5楼
sdggg| | 2018-4-9 22:47 | 只看该作者
Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

使用特权

评论回复 赏
6楼
qwertwuyu| | 2018-4-9 23:13 | 只看该作者
sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

Q4 就是开关啊，另外查了下mos管手册，SD耐压40V，电流持续6.4A。不该有问题啊

使用特权

评论回复 赏
7楼
qwertwuyu| | 2018-4-9 23:14 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看，Q4都是多余的

Q4 就是开关啊，另外查了下mos管手册，SD耐压40V，电流持续6.4A。不该有问题啊。楼主怎么说多余？探讨下

使用特权

评论回复 赏
8楼
一事无成就是我| | 2018-4-10 08:42 | 只看该作者
没啥探讨的，在DG之间接个小电容就解决问题了，猪你成功

使用特权

评论回复 赏
9楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:47 | 只看该作者
xch 发表于 2018-4-9 17:57
0.6A ？  电阻负载？ 没有电容？

VCC是供电给后级电路，后级电路的电源部分有LDO稳压芯片，输入输出有电解电容

使用特权

评论回复 赏
10楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:50 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看，Q4都是多余的

因为没有机械电源开关，电源插头插入瞬间会有火花，想用Q4消火花，但好像没用

使用特权

评论回复 赏
11楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:51 | 只看该作者
sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

Q3是做开关，用来做单键电源开关

使用特权

评论回复 赏
12楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:53 | 只看该作者
一事无成就是我 发表于 2018-4-10 08:42
没啥探讨的，在DG之间接个小电容就解决问题了，猪你成功

是在Q3的DG间接吗，一般用多少容值的电容呢

使用特权

评论回复 赏
13楼
xch| | 2018-4-10 08:56 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:47
VCC是供电给后级电路，后级电路的电源部分有LDO稳压芯片，输入输出有电解电容 ...

开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

使用特权

评论回复 赏
14楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:59 | 只看该作者
xch 发表于 2018-4-10 08:56
开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

应该怎么减少瞬间功率损耗呢

使用特权

评论回复 赏
15楼
gx_huang| | 2018-4-10 09:08 | 只看该作者
Q4只是一个PMOS的防反接电路，如果后面电容较大，或者输入电压较高，容易过流击穿，或者过压击穿。
请注意，输入啥器件都没有，插拔时浪涌很大的，容易过压的。输入应该加TVS、电容，滤除尖峰电压。
如果不考虑功耗，用肖特基二极管代替Q4，成本更低，更可靠。
别说6.4A的MOS管，30A的也一样会烧掉，要看单次浪涌的能量的。

使用特权

评论回复 赏
16楼
lanseshuijing| | 2018-4-10 09:08 | 只看该作者
应该是瞬态过压造成，应该出现在导通或者关断的瞬间

使用特权

评论回复 赏
17楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 09:13 | 只看该作者
本帖最后由 chest20090909 于 2018-4-10 09:19 编辑
gx_huang 发表于 2018-4-10 09:08
Q4只是一个PMOS的防反接电路，如果后面电容较大，或者输入电压较高，容易过流击穿，或者过压击穿。
请注意 ...

后面准备在电源输入加个TVS管，加一个元件（TVS管）会不会多一层失效因素
Q4没有击穿，击穿的是Q3

使用特权

评论回复 赏
18楼
xch| | 2018-4-10 09:36 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

你把D,S管件对调.  并联个二极管,正极接VIN.

使用特权

评论回复 赏
19楼
xch| | 2018-4-10 09:38 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

Q3 没事?

使用特权

评论回复 赏
20楼
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 09:38 | 只看该作者
再详细报告下，最开始试的时候XL1509输入滤波电容C2用的470uF,一上电Q3的DS就击穿。把C2改成100uF不会一上电就击穿Q3，但还有小几率击穿Q3

使用特权

评论回复 赏
下一页 »
123下一页
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

chest20090909

121

主题

632

帖子

4

粉丝