请教PMOS管为什么会DS极击穿

发表于 2018-4-9 12:44

本帖最后由 chest20090909 于 2018-12-28 09:01 编辑

有个A

发表于 2018-4-9 16:57

只能说输入存在瞬态过压，要么加压敏保护，要么提高管子耐压。不过，还得注意是否为过流烧毁短路。

发表于 2018-4-9 17:57

0.6A ？电阻负载？没有电容？

发表于 2018-4-9 22:34

怎么看，Q4都是多余的

发表于 2018-4-9 22:47

Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

发表于 2018-4-9 23:13

sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

Q4 就是开关啊，另外查了下mos管手册，SD耐压40V，电流持续6.4A。不该有问题啊

发表于 2018-4-9 23:14

lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看，Q4都是多余的

Q4 就是开关啊，另外查了下mos管手册，SD耐压40V，电流持续6.4A。不该有问题啊。楼主怎么说多余？探讨下

发表于 2018-4-10 08:42

没啥探讨的，在DG之间接个小电容就解决问题了，猪你成功

发表于 2018-4-10 08:47

xch 发表于 2018-4-9 17:57
0.6A ？电阻负载？没有电容？

VCC是供电给后级电路，后级电路的电源部分有LDO稳压芯片，输入输出有电解电容

发表于 2018-4-10 08:50

lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看，Q4都是多余的

因为没有机械电源开关，电源插头插入瞬间会有火花，想用Q4消火花，但好像没用

发表于 2018-4-10 08:51

sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关？为什么不是防接反用？击穿情况是接通电后还是接通电时击穿？

Q3是做开关，用来做单键电源开关

发表于 2018-4-10 08:53

一事无成就是我发表于 2018-4-10 08:42
没啥探讨的，在DG之间接个小电容就解决问题了，猪你成功

是在Q3的DG间接吗，一般用多少容值的电容呢

发表于 2018-4-10 08:56

chest20090909 发表于 2018-4-10 08:47
VCC是供电给后级电路，后级电路的电源部分有LDO稳压芯片，输入输出有电解电容 ...

开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

发表于 2018-4-10 08:59

xch 发表于 2018-4-10 08:56
开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

应该怎么减少瞬间功率损耗呢

发表于 2018-4-10 09:08

Q4只是一个PMOS的防反接电路，如果后面电容较大，或者输入电压较高，容易过流击穿，或者过压击穿。
请注意，输入啥器件都没有，插拔时浪涌很大的，容易过压的。输入应该加TVS、电容，滤除尖峰电压。
如果不考虑功耗，用肖特基二极管代替Q4，成本更低，更可靠。
别说6.4A的MOS管，30A的也一样会烧掉，要看单次浪涌的能量的。

发表于 2018-4-10 09:08

应该是瞬态过压造成，应该出现在导通或者关断的瞬间

发表于 2018-4-10 09:13

本帖最后由 chest20090909 于 2018-4-10 09:19 编辑

gx_huang 发表于 2018-4-10 09:08
Q4只是一个PMOS的防反接电路，如果后面电容较大，或者输入电压较高，容易过流击穿，或者过压击穿。
请注意 ...

后面准备在电源输入加个TVS管，加一个元件（TVS管）会不会多一层失效因素
Q4没有击穿，击穿的是Q3

发表于 2018-4-10 09:36

chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

你把D,S管件对调. 并联个二极管,正极接VIN.

发表于 2018-4-10 09:38

chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

Q3 没事?

发表于 2018-4-10 09:38

再详细报告下，最开始试的时候XL1509输入滤波电容C2用的470uF,一上电Q3的DS就击穿。把C2改成100uF不会一上电就击穿Q3，但还有小几率击穿Q3

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