【求助】MOS管做开关管的频率问题

只看该作者 · 2011-7-21 15:49

各位大虾，这两天在研究有关MOS管做开关管的问题，需要开关的频率比较大，谁能介绍些开关频率大于50KHZ的MOS管，将感激不尽。还有不知道IRFZ44N的开关频率是否满足要求？

3万 · 2011-7-21 16:23

普通的功率MOS管工作到50kHz均没有多大问题。看看功率MOS管的datasheet，导通延迟、关断延迟、上升时间和下降时间均为数十ns，最多100多ns。

只看该作者 · 2011-7-21 17:35

2# maychang

谢谢你了，呵呵。不过我还有个问题，就是，我按着手册上的开关特性测试电路

。
当将频率调到大于50KHZ的时候电阻RD发热很厉害，不知道电阻RD的取值有什么要求

3万 · 2011-7-21 17:39

3楼：
按照你的图，RD上耗散功率最大2.5W。是否应该“发热很厉害”，只能你自己判断。
另外，RG80欧，已经会影响MOS管开关速度。

只看该作者 · 2011-7-21 18:49

TO maychang大师：
RG80R为什么会影响MOS管的开关速度？是不是因为RG上降压导致MOS管Ugs减少？Ugs减少为什么会影响开关速度？

只看该作者 · 2011-7-21 20:21

4# maychang

可是我RD用5W/47欧的电阻也是这样，数据手册上给的Rg给的是50欧，我用80欧怎么会影响速度，可以说得具体些吗？谢谢...

只看该作者 · 2011-7-22 11:44

只看该作者 · 2011-7-22 12:15

本帖最后由 371924221 于 2011-7-22 12:19 编辑

MOSFET管开关的过程其实是一个栅极电容充放电的过程。开启时，VGS通过栅极电阻RG对栅极电容充电，充电的时间常数=RG*CGS。所以RG较大的话时间常数就较大了。这样如果频率很高的话，在脉宽的时间内就可能导通不了。此外。导通时VGS高达10V，ID=VGS*跨导。MOSFET的ID是很大的，在VCC足够大的情况下，RD上流过的电流就等于ID，因此发热很严重。问一下，仅仅是调到高频率的时候发热厉害？

只看该作者 · 2011-7-22 13:06

MOSFET管开关的过程其实是一个栅极电容充放电的过程。MOS管导通的条件是不是就是栅极电容充电压要等于Vgs开启电压？

只看该作者 · 2011-7-22 15:42

MOSFET管开关的过程其实是一个栅极电容充放电的过程。

好像不是那么回事吧，如果是栅极电容充放电的话，那开关的频率就太低了，还有就是我给栅极的是谷值为0V，峰值为10V的方波，在栅极上加了一个电容试了一下，发现栅极的波形就栅极波形就变成充放电的过程了，这样使MOS管成为开关有点问题吧？
还有就是可以解释下那个漏极电阻的作用吗？当我不加的时候，输出波形有好大的毛刺（示波器都被充满了），加上电阻的时候输出的波形就显示开关特性。

又重新测试了一遍，那个漏极电阻为160欧，在1KHZ的时候，开关特性很好，RD上有点烫，但是MOS没什么事，当频率为50KHZ的时候，开关特性也很好，可是一会之后RD就烧了...

只看该作者 · 2011-7-22 18:09

只看该作者 · 2011-7-23 09:16

只看该作者 · 2011-7-23 23:28

好像不是那么回事吧，如果是栅极电容充放电的话，那开关的频率就太低了，还有就是我给栅极的是谷值为0V，峰值为10V的方波，在栅极上加了一个电容试了一下，发现栅极的波形就栅极波形就变成充放电的过程了，这样使M ...
dahuzicxc 发表于 2011-7-22 15:42

开关频率低？50KHz的频率绝对够你用的了。你的栅极不要加电阻再试试。还有因为是瞬间充电，所以电源的电流一定要足够大，一般的波形发生器的输出电流是不够大的。漏极电阻的作用是限流、降压，没有的话20V的电压全加在管子上，管子会很烫的，还有无论开或者关漏极电压始终是20V，就没有开关的作用了。RD发热的问题，随着频率提高发热也提高，这个问题我倒没遇见过。