Flash模拟为EEPROM

1万 · 2018-4-12 14:55

CY8C24423的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次，竟然是10次，这么少，大家有方法应对吗？

1万 · 2018-4-12 14:59

最要命的是还是在室温条件下

2万 · 2018-4-12 15:01

解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大使用外部温度传感器也不可能,成本太高

2万 · 2018-4-12 15:05

一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

2万 · 2018-4-12 15:10

尽管按楼上可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。因此只适合个别的，如只放一个固定的表格，或不会“频繁”操作使用的情况。

2万 · 2018-4-12 15:14

我的理解:温度设置正确的时候寿命的确很长.但是温度不正确的时候(误差20度)寿命太短.

1万 · 2018-4-12 15:23

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，

1万 · 2018-4-12 15:27

问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性

1万 · 2018-4-12 15:30

不可能10回吧，有这么挫的芯片？一般EEPROM都能10万回以上的。

2万 · 2018-4-12 15:34

楼主看错了吧

2万 · 2018-4-12 15:37

十次不太可能吧，这么少谁都不会接受的。

1万 · 2018-4-12 15:39

还是都回去看看datasheet再回来讨论吧

1万 · 2018-4-12 15:44

晕，竟然没有搜到，看来不能在这随便说话了。