EEPROM具有可byte write/byte read以及高达百万次可靠的擦写次数，通常被使用者用来存放 程序中会时常变更的非挥发性资料。对于单晶片产品，通常不具有内建的EEPROM能够提供给使 用者，而是基于Flash来存放使用者的资料。但是Flash的擦写次数无法与EEPROM比拟。
现在我们提出一个机制，能够组合两个page以上的Data Flash来模拟EEPROM使用，使用SRAM加 速读写资料的速度、能够达到百万次可靠的擦写次数、记录擦写循环次数，并且可以将资料量 分成数个较小的资料群以减少Data Flash page数量。
使用 SRAM 加速读写资料速度
当进行资料写入的时候，会同步写入Data Flash和SRAM；一旦当前使用的Data Flash page已经 写满，就会使用下一个Data Flash page，并且能够直接将SRAM存放的资料存入，节省一般将资 料移入新的Data Flash page，需要搜寻全部Data Flash中已写入的资料的时间。
当需要读取资料的时候，可以直接由SRAM中读出资料，无须从Data Flash中寻找需要的资料， 能够节省搜寻过程的时间，Data Flash中的资料只用来初始化SRAM。
达到百万次可靠的擦写次数
这样使用Data Flash模拟EEPROM的方法，能够使用byte write/byte read以及超过百万次可靠 的擦写次数。
记录擦写循环次数
使用者可以由写入Counter的值了解Data Flash page的擦写循环次数。
将资料量分成数个较小的资料群以减少 Data Flash page 数量
对于NuMicro® Cortex®-M0系列，如图 1-1所示，如果使用者需要存放的资料量增加，为了满足 要求的可靠擦写次数，需要的Data Flash page数量会大量增加。因此，我们建议使用者可以将 要存放的资料量分成数个较小的资料群，利用较少的Data Flash page数量就可以达到需要的可 靠擦写次数。
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