双栅极SET与MOSFET的混合特性
由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET 通用方波电路，它是构成逻辑门电路的基本单元，如图 所示。
图中双栅SET/MOSFET 的通用方波电路由SET、MOSFET 和恒流源构成。SET 的漏极电压由Vgg 控制，Vgg-Vth 要足够低以确保SET 漏源电压近似恒定工作在库仑振荡条件下，Vcon控制漏电流周期振荡的相位。接入恒流源Io 后，当IdsIo时，输出电压为低电平。同时，这里的恒流源Io 可利用耗尽型NMOSFET 设置加以实现。 数字电路中，最基本的单元在于逻辑门设计。在上述电路基础上，由双栅SET/MOSFET基本电路单元可构造出所需的逻辑‘与或非’、‘异或’等基本门电路结构，如图所示。当a=0，b=1 时，SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能;当a=1，b=0 时，SET并联门实现逻辑函数Z =X•Y功能。当a=0，SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能;当a=1，SET求和门实现逻辑函数Z =X⊕Y功能。
图 SET/MOSFET 构成的逻辑门电路及相应符号
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