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SiC被发现并应用于工业生产已有百余年的历史，但是将其用于功率电子领域则是最近一二十年的进展。其物理、电子特性使得SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品有更好的耐高温耐高压特性,从而能获得更高的功率密度和能源效率。英飞凌一直在不断开发碳化硅最前沿的技术，产品以及解决方案，致力于满足用户对节能，提升效率、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。
2016年5月16日英飞凌将在深圳金茂万豪酒店举办2018英飞凌碳化硅发展论坛。届时，行业专家将齐聚一堂，我们诚邀您与英飞凌一起共同探讨碳化硅行业大势，分享技术革新。这场盛会将助您更进一步了解碳硅的现状与发展，带您开启碳化硅的“芯”篇章。
感兴趣，却无奈无法亲临现场？21ic将于5月16号，对2018年英飞凌碳化硅技术论坛进行全程直播，感兴趣的小伙伴，快戳下面地址报名吧~
我们将在参与预报名并参与直播的观众中，随机抽取50人，获得20元话费奖励。
在直播当天还有千元大奖等你来拿！
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