高精度负基准电源 ±0.1%

发表于 2011-7-25 17:25

有没前辈能给个参考

-5V以内高精度负基准电源 ±0.1% ±0.2% 精度的。

发表于 2011-7-25 17:34

TL431即可使用。

发表于 2011-7-25 18:29

TL431不是2.5吗
需要外接运放电路反向下？、
何形式

发表于 2011-7-25 18:44

3楼：
不必外接运放反相。
TL431是并联稳压器，稳的是其两端之间电压，用于产生负基准电压和用于产生正基准电压是一样的方法，仅需要将限流电阻接到负电源上去。
至于产生非2.5V的电压，靠TL431的分压电阻实现。

发表于 2011-7-26 08:19

谢谢诸位

发表于 2011-7-26 08:20

TL431没有这么高的精度

发表于 2011-7-26 08:21

我看看

登录 · 发表于 2011-7-26 08:39

用AD586可以，最好的后缀（M）可以到0.04%，后缀T、L、B可以到0.05%，后缀K、A可以到0.1%。
三端的，尽管是正基准，但很容易出-5V，数据表里有典型电路：

另外，MAX6350更可以达到0.02%的初始精度。

发表于 2011-7-26 09:36

哎看来基准电源选起来还是有技巧的、让楼上见笑了。现在就串联合并联型原理上的区别还是不太明白。

发表于 2011-7-26 09:56

简单说，串联型要三端用法，一个地、一个输入、一个输出。可以两端用法的是并联型，类似稳压管。AD586是串联型的。

另外也可以选用LT1021C-5，性能也很好，也是串联型的。我买过一些LT1021-7和LT1021-10，感觉很不错的，其中LT1021-10也是串联型的，但可以做并联型使用（2端稳压管用法）。

发表于 2011-7-26 15:31

积分不够啊

发表于 2011-7-26 20:18

TL431 基准是0.125V好像

登录 · 发表于 2011-7-26 20:31

部分基准源

发表于 2011-7-26 21:42

楼上所列这些基准，除了REF102外，其余的都是低精度的、大部分是带隙的。带隙的基准，老化大、噪音大。

高精度的基准，除了上面提到的以外，还包括X6008、VRE100、AD587、LM369、LM399，这些都是深埋的。另外，还有一个超级基准，LTZ1000。

发表于 2013-1-13 11:19

LM399，LTZ1000都是高精度的基准源。

发表于 2013-1-13 11:56

现代CMOS工艺已经很成熟了，其噪声特性不比掩埋齐纳管差多少，齐纳管本伸就是个可观噪声源，ADR系列带隙与AD58系列噪声很接近。

发表于 2013-1-13 14:28

各位说得不错.

发表于 2013-10-12 10:14

看来基准电源选起来还是有技巧的

发表于 2013-10-12 12:59

simbar0665 发表于 2011-7-26 09:36
哎看来基准电源选起来还是有技巧的、让楼上见笑了。现在就串联合并联型原理上的区别还是不太明白。 ...

串联电压源，误差执行器改变的是电压，并联电压源误差执行器改变的是电流。

高精度负基准电源 ±0.1%

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