【IC设计】任意负载电容稳定的两级CMOS放大器

king5555 · 发表于 2018-5-5 21:20

论坛新开了个IC产业论坛模块，我没时间照顾那么多板块，所以在本坛涉及点模拟IC设计的知识。

一种任意电容负载稳定的CMOS两级放大器原理图：

它采用一种优化补偿策略，相位裕度与负载电容关系如下图，当负载电容为1nF左右时稳定性最差，其他值教优：

性能指标：

发表于 2018-5-5 21:48

本帖最后由 xukun977 于 2018-5-5 21:54 编辑

学习IC设计，可以学到模电精华。许多知识在分立件电路中是学不到的。

例如对于下图常见的电路，在分立件电路设计中，只会简单地说说第一级和第二极是什么放大，电容作用是什么等。
而在IC设计中，要知道下图中反馈环起码有3个，而且这个电路工作流程，几乎代表了90%以上的基本模块，例如偏置电路。

发表于 2018-5-5 21:56

king5555
+ 1
管子标示几/几是代表什么。是哪颗IC型号。

那个是W/L，即IC设计中你可以在一定范围内，自由控制的管子参数--宽长比！

发表于 2018-5-5 21:58

IC设计与分立件不同，它是严重依赖于仿真软件的，因为管子模型精度高，可信度高。
有空我给大家演示一下在仿真软件中设计IC的方法。

发表于 2018-5-8 19:25

【你的电容位置放错了，一般放在M5的D级与珊级】

是的，米勒电容是接在两个高阻节点。

这个图是我为了省事，随手修改一下就用的，原图是用电池表示的电平移位，我把它修改成电容了。电容的另一端应接输出。

【IC设计】任意负载电容稳定的两级CMOS放大器

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