烧了好几个驱动芯片了，求救

只看该作者 · 2011-7-25 23:24

这是一个Class D电路，采用的是自激振荡试的。单电源供电工作正常（放大倍数不符合设计要求），但是一上双电源就烧驱动IC，在驱动IC前加了一个光耦隔离，幅边地参考电压接-25伏还是烧，求解

只看该作者 · 2011-7-26 01:31

IR2106(4) (S)
2 www.irf.com
Symbol Definition Min. Max. Units
VB High side floating absolute voltage -0.3 625
VS High side floating supply offset voltage VB - 25 VB + 0.3
VHO High side floating output voltage VS - 0.3 VB + 0.3
VCC Low side and logic fixed supply voltage -0.3 25
VLO Low side output voltage -0.3 VCC + 0.3
VIN Logic input voltage VSS - 0.3 VCC + 0.3
VSS Logic ground (IR21064 only) VCC - 25 VCC + 0.3
dVS/dt Allowable offset supply voltage transient — 50 V/ns
PD Package power dissipation @ TA ≤ +25°C (8 lead PDIP) — 1.0
(8 lead SOIC) — 0.625
(14 lead PDIP) — 1.6
(14 lead SOIC) — 1.0
RthJA Thermal resistance, junction to ambient (8 lead PDIP) — 125
(8 lead SOIC) — 200
(14 lead PDIP) — 75
(14 lead SOIC) — 120
TJ Junction temperature — 150
TS Storage temperature -50 150
TL Lead temperature (soldering, 10 seconds) — 300
Absolute Maximum Ratings
你看看你接的，当第二个管子导通时，VS=-25V了啊。VB你接了(12-0.6)V,你必须使你的VS>(11.4-25)才可以啊。