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[电子元器件]

请问光敏二极管中测试条件:电场强度Ee是如何确定的

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霜之哀息|  楼主 | 2018-5-9 16:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题,最近在测试一个接受波长峰值为940nm的光敏二极管时,工作电流为21.4ma的910nm红外管直射,15K的电阻才输出56MV的信号,另外的测试光敏管都有高于1V左右的信号了,看了一下规格文档,他们是这样测试的,Ee=1mW /cm 2,λ P =940nm,V R =5V,T = 25摄氏度的条件下,输出电流越为37ua,这个条件下接15K电阻,输出的电压值应该为555mv。请问电场强度Ee是如何确定下来的。规格文档中只有特定波长下输出电流与电场强度的关系图,没有提供光照强度与电场强度的关系。另外,910nm与940nm的灵敏度基本是一致的

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沙发
maychang| | 2018-5-9 17:10 | 只看该作者
“Ee=1mW /cm 2”

Ee不是电场强度。

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板凳
玄德| | 2018-5-9 18:41 | 只看该作者
Ee=1mW /cm2,
显然是照射光的强度。


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xiaxingxing| | 2018-5-9 22:24 | 只看该作者
光敏二极管有加反向偏置吗?

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 有,他写VR=5V。请到模电兴趣小组去学习,由x大卖力指导。
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霜之哀息|  楼主 | 2018-5-11 12:27 | 只看该作者
谢谢楼上各位,学艺不精请多见谅

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