发新帖我要提问
12下一页
返回列表
打印

求助！MOSFET发热大

[复制链接]
5593|30
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
jinghui1978|  楼主 | 2011-7-26 14:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOSFET, 电流, 电阻
见图片。 左边的图发热很小，右边的图发热大。

我是为了采集负载电流，所以在S极和地之间加入一个采样电阻，结果发热明显增大了。请问为什么？

1.JPG (24.1 KB )

1.JPG

使用特权

评论回复 赏

相关下载

相关帖子
沙发
jjjyufan| | 2011-7-26 15:07 | 只看该作者
实际测试过温度有多少？
0.2欧姆电阻，电阻多少？
电阻功率0.2xIXI 算算有多少功率，大概换算下有多少温度，通过传导给了mosfet

使用特权

评论回复 赏
板凳
jjjyufan| | 2011-7-26 15:08 | 只看该作者
mosfet有没有加散热片？哪种封装的啊？

使用特权

评论回复 赏
地板
ShakaLeo| | 2011-7-26 15:15 | 只看该作者
可能是串的那个电阻限制了栅源极之间电容的充放电速度，开关损耗增大，导致的发热。

使用特权

评论回复 赏
评分
参与人数 1威望 +1 收起 理由
icecut + 1
5楼
ShakaLeo| | 2011-7-26 15:19 | 只看该作者
或者是由于Vgs减小，导致漏极电流减小，导通时DS间承受一定电压。

使用特权

评论回复 赏
6楼
jinghui1978|  楼主 | 2011-7-26 16:04 | 只看该作者
2楼，算电阻功率由什么意义？请详细说说。

使用特权

评论回复 赏
7楼
jinghui1978|  楼主 | 2011-7-26 16:07 | 只看该作者
TO220封装的，加散热片了。 不加采样电阻时，MOS温度几乎和环境温度一样，发热非常小；加采样电阻以后，MOS温度大约60度（用手摸的），虽然不算高，但是我想不通为什么发热增加。

使用特权

评论回复 赏
8楼
jjjyufan| | 2011-7-26 16:16 | 只看该作者
很关键，你的M 电流是多少的？
你摸摸你的电阻烫手不？

使用特权

评论回复 赏
9楼
jinghui1978|  楼主 | 2011-7-26 16:20 | 只看该作者
楼上，拜托说透彻点好不？ 电阻为什么要烫？就算烫又和MOS发热有什么关系？

使用特权

评论回复 赏
10楼
jinghui1978|  楼主 | 2011-7-26 16:22 | 只看该作者
“通过传导给了mosfet”，这是什么意思？

使用特权

评论回复 赏
11楼
jjjyufan| | 2011-7-26 16:51 | 只看该作者
打个比方：电流10A 0.2欧姆电阻
那电阻的功率就是10x10x0.2 那么大的功率难道电阻不发热？
当然实际你可能没有那么大的电流，所以要你测电流值
假设上述成立，MOS旁边有个发热源，你说会不会热。
当然MOS发热也有其他的可能。不过首先得要排除是否是电阻发热引起。

使用特权

评论回复 赏
12楼
radking| | 2011-7-26 17:02 | 只看该作者
还有一个5楼的说法，你的电流太大，电阻上电压太大，结果VGS=VPWM-VR偏小，MOS内阻加大，发热加大

使用特权

评论回复 赏
13楼
radking| | 2011-7-26 17:03 | 只看该作者
所以你的工作电流，PWM电压很关键

使用特权

评论回复 赏
14楼
nongfuxu| | 2011-7-26 17:32 | 只看该作者
加大驱动电压试一试.

使用特权

评论回复 赏
15楼
woshixinshou| | 2011-7-26 18:13 | 只看该作者
采样电阻的压降影响MOSFET的彻底导通，或者导通过程的时间变长，在mosfet上的功耗增大了。

使用特权

评论回复 赏
16楼
zuolonglong| | 2011-7-26 20:06 | 只看该作者
换一个1.5厘米左右的康铜丝（0.004欧）来代替你的0.2欧电阻应该就没有那种情况了 祝成功

使用特权

评论回复 赏
17楼
zuolonglong| | 2011-7-26 20:09 | 只看该作者
康铜丝是1.2的 长1.5厘米的 就行了 电阻大概是 0.004欧姆的

使用特权

评论回复 赏
18楼
wfeiying| | 2011-7-26 20:55 | 只看该作者
你这个电流多大？PWM的驱动高电平电压又是多少？高电压的值减去电流成电阻值为在这个电阻两端的压降，如果压降过大，那MOS关就不是处在开关工作状态了，有可能长时间处在方法区域，不发热才怪

使用特权

评论回复 赏
19楼
xujiey| | 2011-7-26 22:50 | 只看该作者
mos管损耗和开关频率有关

使用特权

评论回复 赏
20楼
eydj2008| | 2011-7-26 23:37 | 只看该作者
IRF530 Rds on很大的  MOS可以换换

使用特权

评论回复 赏
下一页 »
12下一页
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

jinghui1978

8

主题

123

帖子

1

粉丝