求助！MOSFET发热大

登录 · 发表于 2011-7-26 14:28

见图片。左边的图发热很小，右边的图发热大。

我是为了采集负载电流，所以在S极和地之间加入一个采样电阻，结果发热明显增大了。请问为什么？

发表于 2011-7-26 15:07

实际测试过温度有多少？
0.2欧姆电阻，电阻多少？
电阻功率0.2xIXI 算算有多少功率，大概换算下有多少温度，通过传导给了mosfet

发表于 2011-7-26 15:08

mosfet有没有加散热片？哪种封装的啊？

icecut · 发表于 2011-7-26 15:15

可能是串的那个电阻限制了栅源极之间电容的充放电速度，开关损耗增大，导致的发热。

发表于 2011-7-26 15:19

或者是由于Vgs减小，导致漏极电流减小，导通时DS间承受一定电压。

发表于 2011-7-26 16:04

2楼，算电阻功率由什么意义？请详细说说。

发表于 2011-7-26 16:07

TO220封装的，加散热片了。不加采样电阻时，MOS温度几乎和环境温度一样，发热非常小；加采样电阻以后，MOS温度大约60度（用手摸的），虽然不算高，但是我想不通为什么发热增加。

发表于 2011-7-26 16:16

很关键，你的M 电流是多少的？
你摸摸你的电阻烫手不？

发表于 2011-7-26 16:20

楼上，拜托说透彻点好不？电阻为什么要烫？就算烫又和MOS发热有什么关系？

发表于 2011-7-26 16:22

“通过传导给了mosfet”，这是什么意思？

发表于 2011-7-26 16:51

打个比方：电流10A 0.2欧姆电阻
那电阻的功率就是10x10x0.2 那么大的功率难道电阻不发热？
当然实际你可能没有那么大的电流，所以要你测电流值
假设上述成立，MOS旁边有个发热源，你说会不会热。
当然MOS发热也有其他的可能。不过首先得要排除是否是电阻发热引起。

发表于 2011-7-26 17:02

还有一个5楼的说法，你的电流太大，电阻上电压太大，结果VGS=VPWM-VR偏小，MOS内阻加大，发热加大

发表于 2011-7-26 17:03

所以你的工作电流，PWM电压很关键

发表于 2011-7-26 17:32

加大驱动电压试一试.

发表于 2011-7-26 18:13

采样电阻的压降影响MOSFET的彻底导通，或者导通过程的时间变长，在mosfet上的功耗增大了。

发表于 2011-7-26 20:06

换一个1.5厘米左右的康铜丝（0.004欧）来代替你的0.2欧电阻应该就没有那种情况了祝成功

发表于 2011-7-26 20:09

康铜丝是1.2的长1.5厘米的就行了电阻大概是 0.004欧姆的

发表于 2011-7-26 20:55

你这个电流多大？PWM的驱动高电平电压又是多少？高电压的值减去电流成电阻值为在这个电阻两端的压降，如果压降过大，那MOS关就不是处在开关工作状态了，有可能长时间处在方法区域，不发热才怪

发表于 2011-7-26 22:50

mos管损耗和开关频率有关

发表于 2011-7-26 23:37

IRF530 Rds on很大的 MOS可以换换