程控单结晶体管，简称PUT，是PNPN四层三端器件。其结构、电路符号、等效电路和基本电路如下图所示。 PUT的门极G（控制栅极）引自靠近阳极的N区，结构上像一种N栅可控硅。
(a)PUT的结构；(b)符号；(c)等效电路；(d)基本电路 若在阳极A和阴极K间加正向偏压（A正、K负），并在G和K间加正向偏压（G正、K负），则在阳极电位UA低于门极电位UG时，A-G间的PN结反偏，没有空穴注入，A-K间不导通。当UA＞UG时，P1N1结正偏将发生空穴注入，P1N1P2N2结构开通，A-K间导通并出现负阻现象。其过程及伏安特性与单结晶体管十分相似，区别仅在于：单结晶体管的负阻特性出现在E-B1之间，而PUT的负阻特性出现在A-K之间。
改变PUT的门极电位UG，即可调节峰点电压UP，也即可以用UG来调节一个等效的单结晶体管的η、IP和IV等参数，因此十分方便。
在PUT的基本电路中，通过串联电阻，将R1上的分压加在G-K之间。当UA<uR1时，A-K间不通。当UA> UR1时，A-K间导通，负载RL上才有较大的电流。</u
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