HFF晶体单元
提高晶体单元的频率时需要减少芯片的厚度,但是从前的加工方法在减少厚度时存在着界限。通过使用光刻工艺,只减少驱动电极附近的厚度（逆台型构造）,既能保持强度,又克服了这个界限。从而实现了在100MHz以上的高频帯内的基本频率发振。
HFF晶体单元/HFF晶体振荡器
石英芯片的厚度越薄，晶体单元就能在越高频率下振荡。但使用机械加工使厚度变薄存在局限性。
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使用光刻加工，通过只将晶体芯片的激励部加工成数微米的极薄的构造（反向台构造），可以在保持芯片的强度的同时，将高频中的基波振荡变为可能。
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使用基波发出高频振荡的优点
可以抑制周围的高频成分，因此能为高速、大容量通信的稳定性助一臂之力。
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