去饱和保护的问题

只看该作者 · 2018-5-27 17:01

如图，上面是看到TI设计资料里的一部分，是一款IGBT驱动芯片
其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明
“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好
可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”

【1】所说的肖特基二极管D2和R1连用，限制尖峰引起的电流，是什么工作原理？
【2】下图全桥中，当要导通上管时，u点相当于是地，但是下管不同，u点是悬浮的，如何确定？