本篇主要针对不太熟悉的TZ 故障捕获 和 DB 死区产生两个子模块进行学习研究
感觉TI的寄存器命名还是有一定规律可循的
SEL主要用于选择位 CTL主要用于控制位 EINT主要用于使能中断 **是标志查询位 CLR中断标志清除位 FRC 软件强制使能设置位1 TZ 故障捕获子模块 TZ子模块可以工作在Cycle-by-Cycle、One-Shot两种模式下，这两种状态的区别是： - one-shot是永久起作用的，恢复它只有人工清除。
- 而Cycle-by-Cycle却是本周期有用，下一周期自动恢复
外部触发选择寄存器TZSEL 寄存器设置选项如下：
TZCTL主要设置TZA 和TZB寄存器即可，主要定义当外部触发事件发生时，定义EPWMxA和EPWMxB所采取的动作：
TZEINT 中断使能寄存器 控制周期触发和单次触发的中断标志使能
TZ** 是外部触发标志寄存器 TZCLR外部触发清零寄存器 这两个理解起来比较简单，所以不再做过多说明，就是中断的时候查询标志位，然后中断发生了就把标志位清零即可！
TZFRC 外部触发强制寄存器
TZ寄存器配置代码
EALLOW; EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZA = TZ_FORCE_HI; // Forced Hi (EPWM1A = High state) EPwm1Regs.TZCTL.bit.TZB = TZ_FORCE_HI; // Forced Hi (EPWM1B = High state) EPwm1Regs.TZFRC.bit.OST = 1; // Forces a fault on the OST latch and sets the OST** bit. EDIS;
2 DB 死区产生
2.1 DB寄存器设置
2.2 死区产生子模块内部结构
结合上图可以看出，DBCLT[IN_MODEL]就是选择哪个作为输入信号源进行延时控制；通过延时模块之后，实现上升沿和下降沿的延时功能；
然后有一个反相器模块，可以产生互补的输出信号，是否反转可以通过寄存器DBCTL[POLSEL]进行设置，感觉这个寄存器就是设置信号是否反转的，如果是1就反转，如果0就不反转，就这样子！
DBCTL[OUT_MODE]主要作用是选择那个信号进行输出，如果选择0，那么之前的延时的信号就被旁路掉了，整个DB模块就不起作用了，选择1才会产生死区功能；
2.3 经典死区配置方案（感觉这里的后缀 C 就是互补的意思，没后缀则无互补，这个在2.4的波形图里面可以得到更好的体现）
2.4 加入死区延时的波形输出 （对比着2.2看2.3和2.4的图是最好明白寄存器配置的，也好理解输出波形是怎么样子的！）
2.5 寄存器配置代码
// DBCTL (Dead-Band Control)//==========================// OUT MODE bits#define DB_DISABLE 0x0#define DBB_ENABLE 0x1#define DBA_ENABLE 0x2#define DB_FULL_ENABLE 0x3// POLSEL bits#define DB_ACTV_HI 0x0#define DB_ACTV_LOC 0x1#define DB_ACTV_HIC 0x2#define DB_ACTV_LO 0x3// IN MODE#define DBA_ALL 0x0#define DBB_RED_DBA_FED 0x1#define DBA_RED_DBB_FED 0x2#define DBB_ALL 0x3 // Active Low PWMs - Setup Deadband
EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = DB_FULL_ENABLE; //这里基本上都是配置两个波形都是有延时才输出的，不会旁路掉延时波形
EPwm1Regs.DBCTL.bit.POLSEL = DB_ACTV_LO; //低电平有效，这里会对电平进行一个反转
EPwm1Regs.DBCTL.bit.IN_MODE = DBA_ALL; //选择 epwmxa作为信号源作为延时依据
EPwm1Regs.DBRED = EPWM1_MIN_DB; //设置上升沿的延时
EPwm1Regs.DBFED = EPWM1_MIN_DB; //设置下降沿的延时
EPwm1_DB_Direction = DB_UP;
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