H桥驱动电路出现过激

登录 · 发表于 2018-6-9 12:00

我画了个H桥的驱动电路，如下图：
已经加入死区时间控制（但是不知道是否合理，不带负载的时候MOS管没有烧毁现象），带负载（负载是个500uH的低频线圈）之后，偶尔会出现MOS管IRF7389烧毁，或者MOS驱动器TC4426A烧毁。
现在不带负载情况下用示波器分别看负载两端的电压，发现会有过激电压，如下图：

不焊MOS管IRF7389，只焊接驱动芯片TC4426时，分别测量TC4426的四个输出都是正常的方波，没有出现上图中的过激，请大家帮忙看看是什么原因造成的呢？是死区时间设置不合理，还是硬件电路设计的问题呢？

发表于 2018-6-9 12:02

这两个图是一样的，传错上传了两次

发表于 2018-6-9 13:05

这是正常的振铃

发表于 2018-6-9 19:04

wangchaoran 发表于 2018-6-9 12:02
这两个图是一样的，传错上传了两次

意思是不用管他就行了？那驱动芯片烧的原因到底是怎么回事呢？

发表于 2018-6-10 09:20

死区不够宽。

发表于 2018-6-10 10:44

xch 发表于 2018-6-10 09:20
死区不够宽。

可是我没加负载的时候，正常切换MOS管也没有烧掉，MOS驱动器也没有烧。加上负载之后偶尔会出现。我现在的切换频率是250K，切换频率还是挺高的

发表于 2018-6-10 19:21

wangchaoran 发表于 2018-6-10 10:44
可是我没加负载的时候，正常切换MOS管也没有烧掉，MOS驱动器也没有烧。加上负载之后偶尔会出现。我现在的 ...

空载切换快些

发表于 2018-6-10 23:58

xch 发表于 2018-6-10 19:21
空载切换快些

空载切换快点是要看看是否有烧毁驱动芯片吗?那么烧毁的原因是因为啥呢？跟这个振铃是否有关系呢

发表于 2018-6-11 00:15

不安装mos当然不会出现尖峰了。。。

这个尖峰主要是主电路的寄生参数产生的，

你的负载是个谐振网络，注意mos并联二极管的电流应力

发表于 2018-6-11 08:47

wangchaoran 发表于 2018-6-10 23:58
空载切换快点是要看看是否有烧毁驱动芯片吗?那么烧毁的原因是因为啥呢？跟这个振铃是否有关系呢 ...

与毛刺没关系。
看你给的电路，负载串联了4.5ohm电阻。不如换成给每只mosfet 的漏极串联2.2ohm.这样mosfet 安全多了。

发表于 2018-6-12 16:25

同意增加死区，过冲是负载和PCB走线等参数影响的

H桥驱动电路出现过激

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