我画了个H桥的驱动电路,如下图:
已经加入死区时间控制(但是不知道是否合理,不带负载的时候MOS管没有烧毁现象),带负载(负载是个500uH的低频线圈)之后,偶尔会出现MOS管IRF7389烧毁,或者MOS驱动器TC4426A烧毁。
现在不带负载情况下用示波器分别看负载两端的电压,发现会有过激电压,如下图:
不焊MOS管IRF7389,只焊接驱动芯片TC4426时,分别测量TC4426的四个输出都是正常的方波,没有出现上图中的过激,请大家帮忙看看是什么原因造成的呢?是死区时间设置不合理,还是硬件电路设计的问题呢?
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