关于三极管发射极地型开关电路疑惑

发表于 2008-1-8 09:05

这是书上典型的发射极接地型开关电路，书上说当输入信号（也就是v_sin）超过+0.6V时，晶体管处于导通状态，输出基本上是GND电平。但用仿真软件（saber）模拟却不是，为什么呢？

发表于 2008-1-8 09:07

图像显示，当输入(也就是v_sin)超过+1.7V左右时，晶体管处于导通状态，输出基本上是GND电平，和书上写的超过+0.6晶体管导通相差很大。

发表于 2008-1-8 09:09

是一回事吗？你看的哪本书啊？

发表于 2008-1-8 09:11

当输入超过+1.7v左右时，晶体管基极电压为+0.7v左右，晶体管导通。

发表于 2008-1-8 09:17

问题1： 图上说明，R1和R3构成一个分压机关，当Vbase为+0.6v时，晶体管导通。按照分压，也就是Vin是0.6*2=1.2v时，晶体管导通。可是实际图形却为+1.7v时，晶体管导通，相差+0.5v，怎么会有这么大的偏差呢？ 问题2： 要实现Vin为+0.6v输入，三极管导通，电路该如何实现。 问题2： R3的作用是Vin无输入时，晶体管保持在截止状态（即GND电平），这个R3实际应用中用不用呢？ 谢谢各位兄弟姐妹啦

发表于 2008-1-8 09:21

我看的是《晶体管电路设计》，科学出版社，铃木雅臣 著

发表于 2008-1-8 09:27

就算超过+0.6v晶体管开始导通，但输出电压虽然降一点，但压降不是很大，根据图顶多100mv，并没有像书上说的接近GND电平。 根据图结果 当输入电压1vpp时，输出基本是5v。当输入电压2vpp时，输出才有开关波形。

发表于 2008-1-8 09:59

错在你对分压电路的理解。 两个10k电阻分压，好像晶体管基极得到一半的电压。但晶体管基极有电流时，分压比就不是1/2了。发射结导通后晶体管输入阻抗相当低，分到的电压就不足一半。受10k电阻限制，基极电流不够大，所以三极管没有饱和，集电极电压也就下不来。 三极管就算进入饱和，集电极电压也不能到零，能够小到100mV就相当低了，大电流情况很可能最低只能到1V。

发表于 2008-1-8 10:13

既然要它工作在开关状态，就别搞这么模糊的区间，要搞就大些。

发表于 2008-1-8 10:23

发表于 2008-1-8 11:10

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书上说的没有错，仿真结果也没有错

这个还跟负载电阻大小有关。

9楼的解说正点

谢谢楼上几位精彩回答。

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