关于三极管发射极地型开关电路疑惑

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 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
这是书上典型的发射极接地型开关电路,书上说当输入信号(也就是v_sin)超过+0.6V时,晶体管处于导通状态,输出基本上是GND电平。但用仿真软件(saber)模拟却不是,为什么呢?
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:07 | 显示全部楼层

输入输出波形

图像显示,当输入(也就是v_sin)超过+1.7V左右时,晶体管处于导通状态,输出基本上是GND电平,和书上写的超过+0.6晶体管导通相差很大。
chunk 发表于 2008-1-8 09:09 | 显示全部楼层

“导通”与“饱合导通”

是一回事吗?你看的哪本书啊?
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:11 | 显示全部楼层

晶体管基极电压与输入比较

当输入超过+1.7v左右时,晶体管基极电压为+0.7v左右,晶体管导通。<br />
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:17 | 显示全部楼层

继续疑惑

问题1:<br /><br />图上说明,R1和R3构成一个分压机关,当Vbase为+0.6v时,晶体管导通。按照分压,也就是Vin是0.6*2=1.2v时,晶体管导通。可是实际图形却为+1.7v时,晶体管导通,相差+0.5v,怎么会有这么大的偏差呢?<br /><br />问题2:<br />要实现Vin为+0.6v输入,三极管导通,电路该如何实现。<br /><br />问题2:<br />R3的作用是Vin无输入时,晶体管保持在截止状态(即GND电平),这个R3实际应用中用不用呢?<br /><br />谢谢各位兄弟姐妹啦
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:21 | 显示全部楼层

to 3 楼

我看的是《晶体管电路设计》,科学出版社,铃木雅臣&nbsp;著
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 09:27 | 显示全部楼层

to 3 楼

&nbsp;就算超过+0.6v晶体管开始导通,但输出电压虽然降一点,但压降不是很大,根据图顶多100mv,并没有像书上说的接近GND电平。<br /><br />根据图结果&nbsp;当输入电压1vpp时,输出基本是5v。当输入电压2vpp时,输出才有开关波形。
maychang 发表于 2008-1-8 09:59 | 显示全部楼层

书上说的没有错,仿真结果也没有错

错在你对分压电路的理解。<br />两个10k电阻分压,好像晶体管基极得到一半的电压。但晶体管基极有电流时,分压比就不是1/2了。发射结导通后晶体管输入阻抗相当低,分到的电压就不足一半。受10k电阻限制,基极电流不够大,所以三极管没有饱和,集电极电压也就下不来。<br />三极管就算进入饱和,集电极电压也不能到零,能够小到100mV就相当低了,大电流情况很可能最低只能到1V。
computer00 发表于 2008-1-8 10:13 | 显示全部楼层

这个还跟负载电阻大小有关。

既然要它工作在开关状态,就别搞这么模糊的区间,要搞就大些。
taoyubai 发表于 2008-1-8 10:23 | 显示全部楼层

9楼的解说正点

  
 楼主| lluct 发表于 2008-1-8 11:10 | 显示全部楼层

谢谢楼上几位精彩回答。

  
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