1 简介
EEPROM具有可byte write/byte read以及高达百万次可靠的擦写次数,通常被使用者用来存放
程序中会时常变更的非挥发性资料。对于单晶片产品,通常不具有内建的EEPROM能够提供给使
用者,而是基于Flash来存放使用者的资料。但是Flash的擦写次数无法与EEPROM比拟。
现在我们提出一个机制,能够组合两个page以上的Data Flash来模拟EEPROM使用,使用SRAM加
速读写资料的速度、能够达到百万次可靠的擦写次数、记录擦写循环次数,并且可以将资料量
分成数个较小的资料群以减少Data Flash page数量。
|