使用Data Flash模拟EEPROM

只看该作者 · 2018-6-14 11:19

AN_0012_Using_DataFlash_to_Emulate_as_EEPROM_SC_R.pdf (1020.21 KB)

只看该作者 · 2018-6-14 11:19

EEPROM具有可byte write/byte read以及高达百万次可靠的擦写次数，通常被使用者用来存放程序中会时常变更的非挥发性资料。对于单晶片产品，通常不具有内建的EEPROM能够提供给使用者，而是基于Flash来存放使用者的资料。但是Flash的擦写次数无法与EEPROM比拟。
现在我们提出一个机制，能够组合两个page以上的Data Flash来模拟EEPROM使用，使用SRAM加速读写资料的速度、能够达到百万次可靠的擦写次数、记录擦写循环次数，并且可以将资料量分成数个较小的资料群以减少Data Flash page数量。

只看该作者 · 2018-6-14 11:20

 使用 SRAM 加速读写资料速度
当进行资料写入的时候，会同步写入Data Flash和SRAM；一旦当前使用的Data Flash page已经写满，就会使用下一个Data Flash page，并且能够直接将SRAM存放的资料存入，节省一般将资料移入新的Data Flash page，需要搜寻全部Data Flash中已写入的资料的时间。
当需要读取资料的时候，可以直接由SRAM中读出资料，无须从Data Flash中寻找需要的资料，能够节省搜寻过程的时间，Data Flash中的资料只用来初始化SRAM。
 达到百万次可靠的擦写次数这样使用Data Flash模拟EEPROM的方法，能够使用byte write/byte read以及超过百万次可靠的擦写次数。
 记录擦写循环次数
使用者可以由写入Counter的值了解Data Flash page的擦写循环次数。
 将资料量分成数个较小的资料群以减少 Data Flash page 数量
对于NuMicro® Cortex®-M0系列，如图 1-1所示，如果使用者需要存放的资料量增加，为了满足要求的可靠擦写次数，需要的Data Flash page数量会大量增加。因此，我们建议使用者可以将要存放的资料量分成数个较小的资料群，利用较少的Data Flash page数量就可以达到需要的可靠擦写次数。