使用 SRAM 加速读写资料速度
当进行资料写入的时候，会同步写入Data Flash和SRAM；一旦当前使用的Data Flash page已经写满，就会使用下一个Data Flash page，并且能够直接将SRAM存放的资料存入，节省一般将资料移入新的Data Flash page，需要搜寻全部Data Flash中已写入的资料的时间。
当需要读取资料的时候，可以直接由SRAM中读出资料，无须从Data Flash中寻找需要的资料，能够节省搜寻过程的时间，Data Flash中的资料只用来初始化SRAM。
达到百万次可靠的擦写次数这样使用Data Flash模拟EEPROM的方法，能够使用byte write/byte read以及超过百万次可靠的擦写次数。
记录擦写循环次数
使用者可以由写入Counter的值了解Data Flash page的擦写循环次数。
将资料量分成数个较小的资料群以减少 Data Flash page 数量
对于NuMicro® Cortex®-M0系列，如图 1-1所示，如果使用者需要存放的资料量增加，为了满足要求的可靠擦写次数，需要的Data Flash page数量会大量增加。因此，我们建议使用者可以将要存放的资料量分成数个较小的资料群，利用较少的Data Flash page数量就可以达到需要的可靠擦写次数。
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