如何掉电时保存RAM数据到类EEPROM，上电后根据情况重新写入RAM

2万 · 2018-6-14 15:25

1万 · 2018-6-14 15:29

楼主可以详细说说

2万 · 2018-6-14 15:31

设计一款外贸产品，本来是用166芯片掉电模式，但是由于该芯片功耗较大，只能支持15秒左右，外贸产品，对掉电时间有要求，需要7分钟以上，于是外置了电容电路，根据重新上电电容残留电量检测AD值判断掉电时间，当在掉电时间内，重新恢复到原先状态

当检测不到几个过零点后，判断出掉电，迅速把RAM数据保存在类EEPROM里

2万 · 2018-6-14 15:35

以下是部分程序，就是不知道这个保存和重新写回怎么操作，望高手解答

/*---------------------------------------------------------------------------
;EraseFlash
;erase the whole sector of Flash ROM
;--------------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;             //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置擦除的扇区3

      IB_CON1       = 0xE6;       //step 3,设置擦除操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 4,进入擦除状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 7,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断
/*---------------------------------------------------------------------
;write EEPROM
;----------------------------------------------------------------------*/
      EA = 0;                      //step 1 ,关闭中断
      FLASHCON |=0x01;       //选择类EEPROM

      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255

      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

         这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

               IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------

      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

/*---------------------------------------------------------------
;read EEPROM mode1 读类EEPROM方法
;-----------------------------------------------------------------*/
这里要恢复RAM，怎么写

2万 · 2018-6-14 15:38

unsigned char i;
      XPAGE       = 0x03;       //step 2 ,设置写的扇区3
      IB_OFFSET= 0x00;       //设置写的地址，范围00-255
      //假设你的ram是一个数组，temp[6]
      for(i=0;i<6;i++)
   {
         IB_DATA = temp[ i ];//
      // IB_DATA       = 0x88;       //step 3，设置写的数据

      // 这里要写RAM到EEPROM 请问怎么写

            IB_CON1       = 0x6E;       //step 4,设置写操作
      IB_CON2       = 0x05;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON3       = 0x0A;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON4       = 0x09;       //时序的要求，固定不变
      IB_CON5       = 0x06;       //时序的要求，固定不变

      _nop_();             //step 5,进入写状态
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
      //---------------------------------------
      IB_OFFSET++;
      }
      XPAGE       = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
      FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
      EA = 1;                      //恢复中断

2万 · 2018-6-14 15:41

//恢复ram 到temp[6]
FLASHCON = 1;
for(i=0;i<6;i++)
{
temp[ i ] = XBYTE[768+i]; // 在eeprom的 page3;
}
FLASHCON = 0;

2万 · 2018-6-14 15:46

你的程序里面有擦除，写入指令，在极端情况下（强干扰或者手摸晶振）搞不好会程序跑飞掉，将code擦除，可以在程序内部增加一个判断寄存器，判断程序是否正常进入了烧写或者擦除子程序。

2万 · 2018-6-14 15:49

是的，并且最好将LVR打开。

2万 · 2018-6-14 15:51

多谢，但是如果不是数组，是很多变量，把128byte的ram空间几乎用完了，怎么简单设置全部读取，保存呢

2万 · 2018-6-14 15:56

只能一个一个写入了，没有什么办法了。可以使用XDATA

1万 · 2018-6-14 15:58

用AD判断估计没几个MCU可以达到你的要求。

2万 · 2018-6-14 16:05

这个判断寄存器是程序里面自带的，还是自己再程序里面加的？能说清楚点吗？现在正在做这个？

2万 · 2018-6-14 16:09

搞定了，呵呵，犯了低级错误……结贴啦，多谢各位

1万 · 2018-6-14 16:12

//****************************************************************
//EEPROM读写操作
//****************************************************************
void Read_EEPROM(void)
{ //uchar i;
//step 1
      EA = 0;                                     //禁用中断
//step 2
FLASHCON|= 0x01;       //选择类EEPROM
//step 3
      XPAGE       = 0x03;          //选择3扇区()
      IB_OFFSET= 0;                   //载入ROM地址00~256
//step 4
SMG_Min[0]=IB_DATA;                      //载入数据
//step 5
      IB_CON1       = 0x6E;             //设置为编程操作
      IB_CON2       = 0x05;             //流程控制
      IB_CON3       = 0x0A;
      IB_CON4       = 0x09;
      IB_CON5       = 0x06;
//step 6
      _nop_();                               //稳定FLASH编程
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
//step 7
XPAGE = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
EA = 1;                //恢复中断

}
//****************************************************************
//EEPROM读写操作
//****************************************************************
void Wr_EEPROM(void)
{ //uchar i;
//step 1
      EA = 0;                                     //禁用中断
//step 2
FLASHCON|= 0x01;       //选择类EEPROM
//step 3
      XPAGE       = 0x03;          //选择3扇区()
      IB_OFFSET= 0;                   //载入ROM地址00~256
//step 4
      IB_DATA       = SMG_Min[0];                      //载入数据
//step 5
      IB_CON1       = 0x6E;             //设置为编程操作
      IB_CON2       = 0x05;             //流程控制
      IB_CON3       = 0x0A;
      IB_CON4       = 0x09;
      IB_CON5       = 0x06;
//step 6
      _nop_();                               //稳定FLASH编程
      _nop_();
      _nop_();
      _nop_();
//step 7
XPAGE = 0x00;       //step 8,清零页寄存器
FLASHCON &=0xFE;       //退出类EEPROM
EA = 1;                //恢复中断
}
//*************************
按以上方式不行，不知那里错了,请前辈指导，多谢

只看该作者 · 2018-7-4 13:58

huwr 发表于 2018-6-14 15:46
你的程序里面有擦除，写入指令，在极端情况下（强干扰或者手摸晶振）搞不好会程序跑飞掉，将code擦除，可 ...

你能详细说一下怎么增加判断寄存器吗？我现在程序就是会跑飞，导致FLASH里写入错误的数

只看该作者 · 2019-9-3 17:04

楼主我也遇到这个问题，请问你能否发一份让我参考下