NMOS管源极接负载，为什么压差这么大呢？

只看该作者 · 2018-6-25 18:30

原计划是：NMOS管源极接负载，想通过取样负载RL高位的电压，来控制mos管导通和关闭（大于3.3V时，截至，小于3.3V时导通），达到RL两端电压恒定在3V，可是为什么RL两端电压始终达不到3V，如果VGS驱动电压为2.8 ，这VRL=1.27V，VGS直接接到VCC3=3.7V时，VRL也只有2.0V呢，实际搭接了电路，测试，VRL确实只有2.23V左右，用的SI2300-NMOSFET。
，后来，我将ADC取样电路，和MCU的ADC功能关闭了，，设置按下K1时，打开mos，测试测量VRL两端电压，还是只有2.2V左右，
想请问各位老师们，这是什么原因呢，我的思路成立吗？
谢谢了！！！

只看该作者 · 2018-6-25 19:02

本帖最后由 wukaka2016 于 2018-6-26 13:30 编辑

.....

1万 · 2018-6-25 21:14

N-MOS做直流高端开关，需要辅助电源。
如果做脉冲开关可以用自举供电。

只看该作者 · 2018-6-26 08:22

戈卫东发表于 2018-6-25 21:14
N-MOS做直流高端开关，需要辅助电源。
如果做脉冲开关可以用自举供电。

可以请教一下吗，怎么辅助呢，用IO驱动三极管，用三极管驱动mos吗。

只看该作者 · 2018-6-26 08:56

都有谁在吗

1万 · 2018-6-26 10:31

为了达到RL两端电压恒定在3V，可以在VCC与RL之间串入输出3.0V电压的LDO。如下图：

只看该作者 · 2018-6-26 10:44

xmar 发表于 2018-6-26 10:31
为了达到RL两端电压恒定在3V，可以在VCC与RL之间串入输出3.0V电压的LDO。如下图：

...

可以不用LDO吗，采用开关MOS管来实现呢？现在主要问题是用NMOS时，导通后VRL只有2.2V左右，用Pmos时不能完全关断，IO口输出2.8V时，mos仍然有导通的情况。

1万 · 2018-6-26 13:26

wukaka2016 发表于 2018-6-26 10:44
可以不用LDO吗，采用开关MOS管来实现呢？现在主要问题是用NMOS时，导通后VRL只有2.2V左右，用Pmos时不能 ...

不理解： “原计划是：NMOS管源极接负载，想通过取样负载RL高位的电压，来控制mos管导通和关闭（大于3.3V时，截至，小于3.3V时导通），达到RL两端电压恒定在3V，” ———— 这句话的意思的意思。

只看该作者 · 2018-6-26 13:36

xmar 发表于 2018-6-26 13:26
不理解： “原计划是：NMOS管源极接负载，想通过取样负载RL高位的电压，来控制mos管导通和关闭（大于3. ...

首先谢谢你，这么耐心看完

NMOS漏记接VDD，源极接负载电阻2欧姆，通过开关NMOS的开和关，实现负载电阻两端的电压恒定。，NMOS开关是单片机根据负载两端电压值的ADC采集，来控制，大于3V时关闭，小于3V时打开。我这个思路可行吗？控制过程先不谈的话，现在的主要问题是：实际搭接电路后，NMOS截止时，VRL=0，但NMOS打开后，VRL=2.2V，为什么VRL只有2.2V呢？VGS驱动电压是VDD=3.7V，为什么这么大压差呢，不是应该几乎等于VDD3.7V吗？

3万 · 2018-6-26 14:36

wukaka2016 发表于 2018-6-26 13:36
首先谢谢你，这么耐心看完 NMOS漏记接VDD，源极接负载电阻2欧姆，通过开关NMOS的开和关，实现 ...

N沟MOS管，门极电位必须比源极电位高一些才能够导通，开始导通时门极对源极的电压称为Vgs。从你的实验数据看，你的这支管子Vgs约为（3.7V－2.2V）=1.5V.
现在你要在源极上得到接近3.7V电压，门极电压就必须高于源极1.5V（或者更高），也就是门极必须为(3.7V+1.5V)＝5.2V或者更高。
这也就是3楼戈卫东所说：“N-MOS做直流高端开关，需要辅助电源”的意思。

只看该作者 · 2018-6-26 14:42

maychang 发表于 2018-6-26 14:36
N沟MOS管，门极电位必须比源极电位高一些才能够导通，开始导通时门极对源极的电压称为Vgs。从你的实验数 ...

谢谢老师，可是电池供电应用中，只有一个电池电压,3.7V，单片机是经过2.8V稳压后供电的，所以IO输出1时为2.8V，用来驱动NMOS的栅极。

只看该作者 · 2018-6-26 14:44

还有，我刚实际测试了，我直接把栅极短路到VCC，源极上的电压可以接近VCC，但是用单片机IO口输出2.8V来驱动NMOS时，源极缺仍然只有2.2V，是什么原因呢?

3万 · 2018-6-26 14:52

wukaka2016 发表于 2018-6-26 14:42
谢谢老师，可是电池供电应用中，只有一个电池电压,3.7V，单片机是经过2.8V稳压后供电的，所以IO输出1时为 ...

所以“需要辅助电源”。

3万 · 2018-6-26 14:56

wukaka2016 发表于 2018-6-26 14:44
还有，我刚实际测试了，我直接把栅极短路到VCC，源极上的电压可以接近VCC，但是用单片机IO口输出2.8V来驱动 ...

“我直接把栅极短路到VCC，源极上的电压可以接近VCC”

加上负载了么？没有负载电流时，仅仅是漏电流就可以使源极上电压接近Vcc。

只看该作者 · 2018-6-26 14:56

本帖最后由 wukaka2016 于 2018-6-27 13:16 编辑

datasheet显示，2.5V时，RDS=60mohm，这样mos会消耗多少功率吗？
不行的话，我把2.8VLDO改为3.0LDO

只看该作者 · 2018-6-26 15:07

maychang 发表于 2018-6-26 14:56
“我直接把栅极短路到VCC，源极上的电压可以接近VCC”

加上负载了么？没有负载电流时，仅仅是漏电流就可 ...

是的，没有负载，是接近的，接了负载测试了一下。电压拉低到3.5V左右，此时Q1端电压测量为0.07V，可以认为Q1消耗掉了0.08W功率吗，查数据手册，但VGS=2.5V，RDS=60mohm.

只看该作者 · 2018-6-26 15:10

maychang 发表于 2018-6-26 14:56
“我直接把栅极短路到VCC，源极上的电压可以接近VCC”

加上负载了么？没有负载电流时，仅仅是漏电流就可 ...

我最终的目的是：用单片机采集RL的电压，但电压大于3V是，mos栅极为0，小于3V是mos栅极为1 这样来达到恒压的目的，或者通过调节栅极的导通T(占空比)，来实现恒定有效值的目的。这样驱动合理吗？

3万 · 2018-6-26 15:14

wukaka2016 发表于 2018-6-26 14:56
我把电路这样改了，
可以达到要求，只是MOS有一定的损耗，datasheet显示，2.5V时，RDS=60mohm，这样mos会消 ...

此电路RL两端均不接地，对后续用单片机测量是否有影响？

3万 · 2018-6-26 15:15

wukaka2016 发表于 2018-6-26 15:10
我最终的目的是：用单片机采集RL的电压，但电压大于3V是，mos栅极为0，小于3V是mos栅极为1 这样来达到恒 ...

“这样驱动合理吗？”
“这样驱动”是哪样驱动？

3万 · 2018-6-26 15:18

wukaka2016 发表于 2018-6-26 15:10
我最终的目的是：用单片机采集RL的电压，但电压大于3V是，mos栅极为0，小于3V是mos栅极为1 这样来达到恒 ...

电压大于3V是，mos栅极为0，小于3V是mos栅极为1 这样来达到恒压的目的，或者通过调节栅极的导通T(占空比)，来实现恒定有效值的目的。

无论两种方法中的哪一种，均不能实现“恒定有效值”目的。
无论你的两种方法采用哪一种，得到的均是脉冲电压，而脉冲电压的有效值需要另行测量或者计算，并不等于平均值。

NMOS管源极接负载，为什么压差这么大呢？

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