反激式开关电源MOS管发热明显什么原因？

登录 · 发表于 2018-6-27 13:01

本帖最后由 ipman 于 2018-6-27 13:07 编辑

示波器看MOS（7N65）管G极开关信号频率40KHz，上升时间500ns，下降时间<500ns，占空比约20%，磁芯Ae0.52cm2，初级匝数50匝，输出电流2A(12V)，为何发热明显？G极电阻已经10欧了，再小也改善不了多少上升时间，40KHz也算低频了，再低估计效率更差，可否通过减少初级匝数缩短磁通时间来减少占空比达到降温？附原理图，请高手指点下，谢谢！

发表于 2018-6-27 21:16

前辈帮忙啊

发表于 2018-6-28 10:12

G D 波形帖来看看？

发表于 2018-6-28 11:56

D极波形不敢用示波器量，怕击穿，G波形很干净，占空比25%，Ton=5us, Toff=15us。

king5555 · 发表于 2018-6-28 11:57

戈卫东发表于 2018-6-28 10:12
G D 波形帖来看看？

D极波形不敢用示波器量，怕击穿，G波形很干净，占空比25%，Ton=5us, Toff=15us。

发表于 2018-6-28 15:44

既然搞电源，高压探头还是要买的。。。

登录 · 发表于 2018-6-29 10:24

MOS升温正常，主要看温度合不合理，
主要是看效率，工作模式对不对

泰德半导体-提供技术支持

发表于 2018-7-6 09:33

BP3306 输出驱动能力只有100mA，而你选择的MOS管，Qg达到25nC以上，完全不是BP3306 可以驱动起来的。问题里面没说输出功率是多少。根据BP3306 规格书，只合适于驱动30W以内。
而30W以内，MOS管最大选择2N60就了不起了。这时候，被驱动的MOS管才适配。

发表于 2018-7-13 20:59

tianxj01 发表于 2018-7-6 09:33
BP3306 输出驱动能力只有100mA，而你选择的MOS管，Qg达到25nC以上，完全不是BP3306 可以驱动起来的。问题 ...

那可否加级驱动增大驱动能力？

发表于 2018-7-14 10:48

ipman 发表于 2018-7-13 20:59
那可否加级驱动增大驱动能力？

当然可以，外加图腾柱就行了。这样芯片驱动扩展到200W以上都不是问题。图腾柱供电可以和芯片一路，由于驱动脉冲电流加大，被推MOS管大了有发热，注意这方面问题就好了。

发表于 2018-7-15 21:00

本帖最后由 lin5674675 于 2018-7-15 21:02 编辑

观察VDS波形，是否出现大小波，适当改变扎比

调高D，R22放电适当减小至47K左右，RCD是否用力过猛，图上看你的VCC电阻太大了，这就说明你的变压器设计本不合理，但是这些前提是，你的输出功率和效率，是否需要你加散热片

发表于 2018-7-18 09:46

本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-18 09:48 编辑

ipman 发表于 2018-7-13 20:59
那可否加级驱动增大驱动能力？

不讨论你变压器是不是够大小，一般来说，做这样的电源，用临界以下最优。
输出必须采用三明治。至于电感，给你一个参考：55KHz 400W净输出，反射电压120V，临界电感量是230uH。
如果设置的反射电压一样，你按照设计的输出功率和实际频率，折算你需要的电感量就可以了。
230*400/24*40/50=3mH。
大于3mH，就是CCM模式，小于3mH，就是DCM模式，考虑到功率比较小，可以稍微放宽点，建议1.5mH。
算功率，EE28磁芯足够，初级0.3线 60T+60T分2部分，开气隙到1.5mH。输出搁原边中间，三明治，13T，用0.3*10根。这个参数，窗口绝对够，铜线余量很大了。祝你好运☺

发表于 2018-7-25 09:06

拿分走人

发表于 2018-8-9 23:31

tianxj01 发表于 2018-7-18 09:46
不讨论你变压器是不是够大小，一般来说，做这样的电源，用临界以下最优。
输出必须采用三明治。至于电感， ...

受教了，谢谢，我绕制一个测试下！

发表于 2018-8-9 23:31

tianxj01 发表于 2018-7-18 09:46
不讨论你变压器是不是够大小，一般来说，做这样的电源，用临界以下最优。
输出必须采用三明治。至于电感， ...

受教了，谢谢，我绕制一个测试下！

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