（转载）GD32和STM32MCU的主要差异

发表于 2018-6-28 14:09

•1.内核差异•2.主频差异•3.供电差异•4.Flash差异•5.功耗差异•6.USART差异•7.ADC差异•8.资源差异

发表于 2018-6-28 14:09

1.内核
GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，交GD第二代版本存在较多无法修复的BUG，GD使用的内核只有752419这一个BUG。

发表于 2018-6-28 14:10

2.主频
2.1使用HSE：GD的主频可以跑到108M，而ST的主频仅为72M
2.2使用HIS：GD的主频可以跑到108M，而ST的主频丌能超过64M例如：刷屏，开方运算，电机控制等对MCU速度要求高，但是又想降低成本的时候，GD是一个非常丌错的选择。使用内部和外部晶体，配置108M时钟的方式可以通过访问21ic下载相关的文件或者是访问微云下载相关共享文件：21ic：https://bbs.21ic.com/icview-570529-1-1.html

发表于 2018-6-28 14:10

3.供电
3.1外部供电•GD32外部供电范围是2.6~3.6V•STM32外部供电范围是2~3.6VGD的供电范围比STM32相对要窄一点。
3.2内核电压•GD32内核电压是1.2V•STM32内核电压是1.8VGD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。

发表于 2018-6-28 14:11

4.Flash差异
4.1 Flash执行速度•GD32 Flash中程序执行为0等待周期。•STM32 Flash中程序执行速度。ST系统频率不访问flash等待时间关系：0等待周期，当0
4.2 擦除时间：由于GD的Flash是自己的与利技术，ST的Flash是第三方提供的，所以GD的Flash和ST的Flash有些许差异。GD的擦除时间更长一点例如：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号，Page Erase 典型值100ms，实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值20~40ms，参见产品datasheet。
4.3 Flash加密：ST的Flash有两层加密机制，一个是UID，还有一个是读保护，但是GD的Flash内部做了一个重组算法，物理地址连续，但是逻辑地址并丌是连续的。这一点可以用来防硬**

发表于 2018-6-28 14:11

5.功耗
STM32功耗表GD32功耗表从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。

发表于 2018-6-28 14:12

6.USAR
TUSART GD的和STM32存在两个点差异：
1.GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle。
2.GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是通信的时间会加长一点。

发表于 2018-6-28 14:12

7.ADC差异
GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。

发表于 2018-6-28 14:13

8.FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMCGD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC.

发表于 2018-6-28 15:00

额分析的很详细啊

发表于 2018-6-28 17:08

这个对比已经过期了，针对的仅仅是F103系列的产品。

发表于 2018-6-29 07:08

也已经很好了，对新开始采用GD系列芯片很有助益，谢谢

发表于 2018-6-29 08:36

zhjb1 发表于 2018-6-29 07:08
也已经很好了，对新开始采用GD系列芯片很有助益，谢谢

呵呵呵感谢夸奖我会继续努力的

发表于 2018-6-29 09:29

4.3 GD的Flash应该是逻辑地址连续，物理地址不连续吧

发表于 2018-6-29 18:35

低功耗和ADC是硬伤。

（转载）GD32和STM32MCU的主要差异

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