H桥电路

发表于 2018-7-12 22:30

D:\QQ图片20180712222806.png
不知道能不能上传上图，
这个H桥电路不知道怎么回事老是容易烧MOS管，而且一烧就是上下管一起烧，感觉好像上下管一起导通了，是不是我要加什么电路保护一下。谢谢了。

登录 · 发表于 2018-7-12 22:31

不会上传图，我上传个附件，大家可以的话帮我看看呗，谢谢了

发表于 2018-7-12 23:01

有高手帮忙回复下吗？

发表于 2018-7-13 10:49

上下管开关过程中存在同进处于导通状态下.所以,在开通上管(或下管)时,需要先行关闭下管(或上管)一定时间的,这是就说的死区时间呼.你这现在的电路开关切换过程有点长,以至于上下管会直通.

发表于 2018-7-13 16:54

我准备把三极管去掉，直接连过去，就不知道光耦的导通速度会不会影响到开关管的速度

发表于 2018-7-13 19:17

这种开漏光耦的上升沿很差，后面的三极管开关电路上升沿也很差，结果就是MOS管栅极的上升沿和下降沿都很差，被烧掉很正常。建议把两个三极管开关电路换成推挽输出的逻辑门电路，MOS管的开关速度能快很多。另外AO3401和AO3402都是低压MOS管，驱动感性负载容易被击穿

发表于 2018-7-15 16:53

本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-15 17:14 编辑

icefox225 发表于 2018-7-12 22:31
不会上传图，我上传个附件，大家可以的话帮我看看呗，谢谢了

先不管你栅极驱动波形速度问题，你2个管子栅极直接相连，那么问题来了，3401  3402 的开启电压各是多少？
Gate Threshold Voltage  这个就是官方开启电压指标项。1V，那么可以想象，VG从11V-1V变化期间，上下MOS管都处于共同导通区间内。理论上除非驱动速度无穷快，否则不烧管子才是不正常的。
而你采用了低开启电压MOS管，这个问题就会更加严重。这就是说有H桥上下驱动都需要死区的理由。
采用MCU带死区输出驱动最简单，可需要对应4个IO口。至于单片机是不是带死区驱动功能到还在其次，没有的，可以采用对称PWM调制，上下相邻2个比较值的差值就是死区时间。
如果，IO非的还2个，其实也不是不可以，换个思路，我们可以发现，对角驱动其实是完全一样的，只是相位正好相反，那么我们可以采用对角驱动方式，而2个对角驱动之间设置合理的死区，一切死区都OK了。
根据你采用低开启电压MOS管，简单的把驱动三极管CE分别接到对角线的2个栅极（每个管子源栅之间并联合适的电阻比如1K）。然后  对角驱动设置死区就可以了。
另外，你采用的光耦，是线性光耦，速度非常差，不能用，当然，4N25或者速度更快的逻辑光耦用这里完全可以了，直接代替我刚才说的对角驱动NPN管就可以了，死区大于光耦速度基本上就可以了。

发表于 2018-7-23 22:39

我们厂有生产这种PCB线路板

发表于 2018-7-26 15:11

支持一下！！！

发表于 2018-10-10 17:56

你这原理图设计的一点死区的概念的没有。7楼正解。

[电机及执行机构驱动] H桥电路

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