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icefox225|  楼主 | 2018-7-12 22:30 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
icefox225|  楼主 | 2018-7-12 22:31 | 只看该作者
不会上传图,我上传个附件,大家可以的话帮我看看呗,谢谢了

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icefox225|  楼主 | 2018-7-12 23:01 | 只看该作者
有高手帮忙回复下吗?

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sky9218| | 2018-7-13 10:49 | 只看该作者
上下管开关过程中存在同进处于导通状态下.所以,在开通上管(或下管)时,需要先行关闭下管(或上管)一定时间的,这是就说的死区时间呼.你这现在的电路开关切换过程有点长,以至于上下管会直通.

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icefox225|  楼主 | 2018-7-13 16:54 | 只看该作者
我准备把三极管去掉,直接连过去,就不知道光耦的导通速度会不会影响到开关管的速度

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caixupu| | 2018-7-13 19:17 | 只看该作者
这种开漏光耦的上升沿很差,后面的三极管开关电路上升沿也很差,结果就是MOS管栅极的上升沿和下降沿都很差,被烧掉很正常。建议把两个三极管开关电路换成推挽输出的逻辑门电路,MOS管的开关速度能快很多。另外AO3401和AO3402都是低压MOS管,驱动感性负载容易被击穿

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7
tianxj01| | 2018-7-15 16:53 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-15 17:14 编辑
icefox225 发表于 2018-7-12 22:31
不会上传图,我上传个附件,大家可以的话帮我看看呗,谢谢了

先不管你栅极驱动波形速度问题,你2个管子栅极直接相连,那么问题来了,3401  3402 的开启电压各是多少?
Gate Threshold Voltage  这个就是官方开启电压指标项。1V,那么可以想象,VG从11V-1V变化期间,上下MOS管都处于共同导通区间内。理论上除非驱动速度无穷快,否则不烧管子才是不正常的。
而你采用了低开启电压MOS管,这个问题就会更加严重。这就是说有H桥上下驱动都需要死区的理由。
采用MCU带死区输出驱动最简单,可需要对应4个IO口。至于单片机是不是带死区驱动功能到还在其次,没有的,可以采用对称PWM调制,上下相邻2个比较值的差值就是死区时间。
如果,IO非的还2个,其实也不是不可以,换个思路,我们可以发现,对角驱动其实是完全一样的,只是相位正好相反,那么我们可以采用对角驱动方式,而2个对角驱动之间设置合理的死区,一切死区都OK了。
根据你采用低开启电压MOS管,简单的把驱动三极管CE分别接到对角线的2个栅极(每个管子源栅之间并联合适的电阻比如1K)。然后  对角驱动设置死区就可以了。
另外,你采用的光耦,是线性光耦,速度非常差,不能用,当然,4N25或者速度更快的逻辑光耦用这里完全可以了,直接代替我刚才说的对角驱动NPN管就可以了,死区大于光耦速度基本上就可以了。

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ztb 2018-8-31 21:18 回复TA
为对角驱动点赞! 
8
txhpcb| | 2018-7-23 22:39 | 只看该作者
我们厂有生产这种PCB线路板

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fy9527926| | 2018-7-26 15:11 | 只看该作者
支持一下!!!

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zhoutao@318| | 2018-10-10 17:56 | 只看该作者
你这原理图设计的一点死区的概念的没有。7楼正解。

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