求解释这个nmos的用法

登录 · 发表于 2018-7-13 18:37

如图，这个nmos会不会因为mos本体的二极管导致不应该导通的时候也有输出电压？是反着用的
我测试用了sir422和sis436，12VDC供电，都在shutdown引脚接地的时候，输出有11.7V左右，在shutdown引脚给一个12V的时候，输出11.97V左右
这个mos是我用错了，还是怎么回事呢？

发表于 2018-7-13 19:08

这是一种“理想二极管”电路，其SHDN应该是用来使LTC4359进入到低功耗的“待机关闭”状态。

发表于 2018-7-13 20:33

它是“理想二极管”，会阻断反向电流，不会阻断正向电流。关闭状态还可以扮演普通二极管。

发表于 2018-7-14 22:01

规格书给你的参照是没有体二极管的，你在选择的时候，采用了具备体二极管的MOS，那就要反接了，不然没法体现理想二极管控制器的能力了

发表于 2018-7-15 10:03

汽车电子的防反接电路，目的是反接时不导通，正接时导通，不仅是寄生二极管导通，还得MOS导通。
你这个电路，是NMOS吗？
普通电路，接正电源的是PMOS，接GND端的是NMOS，这样电路简单。
你这个带芯片的就不知道了，普通就PMOS+电阻+稳压二极管。

发表于 2018-7-16 08:48

用过一个TI的，GATE脚是通过内部升压的额，就类似于射级输出器一样，图中你的ds接反了

发表于 2018-7-16 09:00

HWM 发表于 2018-7-13 19:08
这是一种“理想二极管”电路，其SHDN应该是用来使LTC4359进入到低功耗的“待机关闭”状态。
...

是的。上图是LTC4359的典型应用电路。我理解的mos应该是都会有寄生二极管吧，所以我一直怀疑这里用法。包括图中给出的这个英飞凌的nmos，一样有寄生二极管，总感觉不对。

登录 · 发表于 2018-7-16 09:03

lin5674675 发表于 2018-7-14 22:01
规格书给你的参照是没有体二极管的，你在选择的时候，采用了具备体二极管的MOS，那就要反接了，不然没法体 ...

上图是LTC4359的典型应用电路。我理解的mos应该是都会有寄生二极管吧，所以我一直怀疑这里用法。包括图中给出的这个英飞凌的nmos，一样有寄生二极管，总感觉不对这个是bsc028那个nmos的手册中的截图

发表于 2018-7-16 09:05

lihui567 发表于 2018-7-16 08:48
用过一个TI的，GATE脚是通过内部升压的额，就类似于射级输出器一样，图中你的ds接反了 ...

上图是LTC4359的典型应用电路。正常的话nmos应该接地的，要不然会有比较大的压降。我也说不出来，总觉得寄生二极管这个问题才是主要问题

发表于 2018-7-16 09:18

你这里确实用错了，这里得用P-MOSFet。
S极接高电压，MOSFET不会导通，本体二极管正好导通。本体二极管未画出。

发表于 2018-7-16 10:47

提醒一下，测量时，还得看输出电流。

经常看到有人用数字万用表来测量大功率MOSFET关断时，依旧有电压，比如输出依旧有4V，但是万用表内阻是10M欧，则输出4V电流是0.4uA，对于大功率MOSFET有一点漏电流是正常的。

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