M051系列BOD中断时是否可以写入DATAFLASH?

只看该作者 · 2018-7-18 00:15

在新唐M058LDN芯片，设定BOD电压为4.4V，为中断模式，复压电压为2.4V。用示波器实测掉电时从4.4V降到2.4V有100多MS，我想在BOD掉电中断时，擦除内部DATAFLASH一个扇区，写入4个字节数据，但好像没有任何操作，但确定已经进入中断，而且平时可以擦除内部DATAFLASH和写上数据，请问是不是掉电BOD启动时，内部DATAFLASH已经锁定，不能擦除和写入？

只看该作者 · 2018-7-18 09:56

请参考这一篇文件

AN_0013_Storing_The_Data_In_DataFlash_When_Power-_Loss_CHS_Rev1.00.pdf (1.16 MB)

只看该作者 · 2018-7-18 10:26

jasontu 发表于 2018-7-18 09:56
请参考这一篇文件

谢谢

只看该作者 · 2018-7-18 15:52

fs_peng 发表于 2018-7-18 10:26
谢谢

看过了这篇文件，跟我原来的写法差不多，现在还是不行，实测正常时擦除一扇区和写入4字节数据时间为2.3ms,但在BOB中断时，为18us，且DATAFLASH没有任为更改

只看该作者 · 2018-7-18 19:52

如果按照这个方式做，还不行，那不知道哪儿的问题了。

只看该作者 · 2018-7-18 19:53

寄存器要解除保护才能写。

只看该作者 · 2018-7-19 09:02

fs_peng 发表于 2018-7-18 15:52
看过了这篇文件，跟我原来的写法差不多，现在还是不行，实测正常时擦除一扇区和写入4字节数据时间为2.3ms ...

写FLASH前，必须关闭其他所有中断，而且如果有看门狗，必须调整时间到超过写数据时间，这是写FLASH失败的最常见原因。

只看该作者 · 2018-7-19 12:30

tianxj01 发表于 2018-7-19 09:02
写FLASH前，必须关闭其他所有中断，而且如果有看门狗，必须调整时间到超过写数据时间，这是写FLASH失败的 ...

测试时，看门狗都没开。最后做了个实验，把电源改成可调电源，发现只要开启BOD，不用开启中断，低于BOD电压时，写不进DATAFLASH,同样电压，关闭BOD，就可以写进DATAFLASH，感觉是只要芯片开启BOD模式，低于BOD电压时，芯片对DATAFLASH保护了，不能擦除和写。

只看该作者 · 2018-7-19 16:24

本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-19 16:29 编辑

fs_peng 发表于 2018-7-19 12:30
测试时，看门狗都没开。最后做了个实验，把电源改成可调电源，发现只要开启BOD，不用开启中断，低于BOD电 ...

官方就有BOD中断写FLASH的，在官方AN0013这个说明文档里面，说的一个测试，是储能电容多少，才可以完整写完512字节数据的计算、测试，说明BOD中断写FLASH肯定是可行的，虽然测试时候芯片不是你这个系列的，但根据一般的情况，应该也是可以这样使用的。除非该系列本身不支持FLASH自编程。你不能写，应该是某个设置还是有冲突吧。

只看该作者 · 2018-8-3 16:19

和楼主遇到一样的情况，不知楼主是否解决了

1万 · 2018-8-4 20:29

试过了没，可以吗

M051系列BOD中断时是否可以写入DATAFLASH?

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