二极管导通波形求助，版主高手都进。

1万 · 2011-8-6 09:33

有一个现象，好久了，就是当负载重有二极管和三极管的时候，上升沿和下降沿总有一个台阶。
对于OC门输出的，带发光二极管负载的，如附件图所示。
对于能忍受5V输入的，电源是1.8V的芯片的IO，也类似。
我们产品里面高速信号里也有，虽然小于0.1ns但是使劲展宽还是能看的见的，而且随后级芯片的工艺而不同，对于CMOS的比bipolar工艺的要宽两三倍。

不知道谁给俺补一客？

1万 · 2011-8-6 09:34

上图的波形在200kHz左右测试的。这个波形见太久了，但是一直都是自己心里猜，今天又有人问起，想知道到底怎么回事。

3万 · 2011-8-6 09:49

“去掉二极管，波形里面就没有了这两个台阶”
楼主可以看看半导体器件教材，查“二极管的反向恢复时间”。

只看该作者 · 2011-8-6 11:28

我觉得，ls说的对，可能你二极管结电容远大于开关管，恢复时间慢，高速翻转时，二极管导通电压由结电容保持。

1万 · 2011-8-6 12:04

再问斑竹，我们电路板上的高速信号是1.25G的，也就是高电平脉宽0.8ns的。可是后级带高阻抗的三极管和MOS管的输入，这个台阶的宽度也不同，虽然离影响我们信号质量还有很远的距离，但是确实也不知道为什么。难道三极管和MOS管也有反向恢复时间么？

而且带有的负载的时候，那个台阶会变为kink，也就是台阶的斜率从零变为和正常沿反向。

静态下测试，我们电路阻抗，无论是传输还是终端都是匹配的，公司就是做这行的，仪器也比较的全。

3万 · 2011-8-6 12:09

5楼：
“难道三极管和MOS管也有反向恢复时间么？”
有的，虽然通常不使用这个名称。

只看该作者 · 2011-8-6 12:32

由于你用了两个负载，其中发光二级管的正向压降具有齐纳效应。所以开启时电流是一个跳变过程，这样在波形上就会出现台阶的，关断时类似。你去掉那个上拉电阻，应该台阶也会消失的。200KHz的频率，反向恢复时间应该不至于影响那么严重，相对于LED来说。

4万 · 2011-8-6 17:59

降低驱动管的导通内阻，这个现象也会得到改善。

只看该作者 · 2011-8-6 23:05

当输入低电平时，输出应立即为高，但由于二极管的存储效应它不能立刻截至，因此电阻上就会产生一个电压，从而出现一个台阶；当二极管的存储效应消失后，电阻上的电压消失，输出随之上升到最大值。下降过程类似。

只看该作者 · 2011-8-7 08:51

图中是MOS，这个平台是米勒平台。
maychang说的是二极管的反向恢复特性，我觉得不是，因为二极管的两端不存在电压反向问题。

原因是，你并了一个1k+led，等效的增大了MOS导通时的电流，增加了MOS的米勒的平台时间，所以出现了这个明显的平台。

楼主可以试试：把LED去掉，用1K+4.7K的并联方式做一下试验，看看这个平台有没有存在？期待你的试验结果。

只看该作者 · 2011-8-7 08:57

MOS管改为p

只看该作者 · 2011-8-7 11:04

由于你用了两个负载，其中发光二级管的正向压降具有齐纳效应

求齐纳效应的解释

只看该作者 · 2011-8-7 11:12

tc9148发表于 2011-8-7 08:51 | 只看该作者回复引用评分报告返回版面 TOP 得分：0
10楼：图中是MOS，这个平台是米勒平台。

我看网上的资料，米勒平台只针对栅源电压而言。但对VDS是不存在米勒平台的吧。不知我说的对不对

3万 · 2011-8-7 11:52

13楼：
看看功率MOS管原厂datasheet，立刻可以知道VDS是否存在这个平台。同时也可以理解8楼chunyang所说的信号源内阻问题。

只看该作者 · 2011-8-7 13:08

呵呵。谢谢楼上，我查到了，受教了，也就是说VGS影响Id,id与管子导通电阻作用，影响Vds输出。且导通内阻越小，对VDS输出影响越小
不知说的对不

只看该作者 · 2011-8-7 13:09

13# walllhy

齐纳=zener，即稳压的意思。
zener diode具有雪崩过程，在达到击穿电压前，电流很小。当达到击穿电压时，产生雪崩，电流急增。由于mosfet 内阻的存在，该电流会使输出波形产生台阶。
这也就是为什么chunyang老师说：“降低驱动管的导通内阻，这个现象也会得到改善”的原因。

3万 · 2011-8-7 13:22

15楼：
不完全是这样。
此图是典型的共源极电路 Gate CHarge vs. Gate-to-Source Voltage 曲线。可以看到有一段近似是水平的。这段近似水平的部分，即是米勒效应的结果。MOS管在这一段是线性放大工作状态。左边倾斜部分，MOS管中基本没有电流(截止)，右边倾斜部分，MOS管处于可变电阻区(饱和)。楼主贴的图中的“台阶”，据10楼说，可能是此曲线中的水平部分引起的。但首帖中的“台阶”宽度，显然与此曲线水平部分持续时间(米勒电容充电或放电)有关，而充电放电速度与信号源内阻有关。

只看该作者 · 2011-8-7 13:24

也就是说，led正向导通的过程是一个类似于稳压管稳压的过程？再即将导通是，电流急升，到达一个值后稳定。是这样吗？

只看该作者 · 2011-8-7 13:28

16# yuanchsh
那就像您说的。去掉二极管串联的上拉话。电流就不会在上面产生压降。则平台就不会出现，是这样理解吗？

只看该作者 · 2011-8-7 13:43

18# walllhy

是这样的。

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