问:这里提到的“隐埋齐纳”和“带隙”基准是什么意思? 答:这是两种最常见的用于集成电路中的精密基准。“隐埋”或表层下齐纳管比 较 稳定和精确。它是由一个具有反向击穿电压修正值的二极管组成,这个二极管埋在集成电路 芯片的表层下面,再用保护扩散层覆盖以免在表面下击穿,见图11。
图11 表层齐纳二极管与隐埋齐纳二极管结构图 硅芯片表面和芯片内部相比有较多的杂质、机械应力和晶格错位。这是产生噪声和长期 不稳定性的原因之一,所以隐埋式齐纳二极管比表层式齐纳二极管的噪声小,而且稳定得多 ,因此它被优先采用于芯片基准源上作为精密的集成电路器件。 但是隐埋式二极管的击穿电压标称值大约为5 V或更大一些,而且为了使它处于最佳工作 状态,必须吸收几百微安的电流,所以这种方法对于必须工作在低电压并且具有低功耗的基 准 来说是不适宜的。对于这样的应用,我们宁愿用“带隙”基准。于是研制出一个具有一个正 温度系数的电压用以补偿具有负温度系数的晶体管的V be ,用来维持一个恒定的“带 隙”电压(见图12)三极管Q2发射极面积是Q1的8倍;这两个管子在R1上产生 一个正比于绝对温度的电流,一个正比于绝对温度的电压与Q1的V be 串联,产生电 压VZ,它不随温度变化并且可以被放大(见图12),这个电压等于硅的带隙电压(外推到 绝对零度)。 图12 带隙基准原理图 带隙基准与最好的隐埋齐纳基准相比,其准确度和稳定性稍微差一点儿,但是温度特性 可优于3 ppm/°C。
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