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pmos开关引起的的电压跌落问题如何分析？

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huarana|  楼主 | 2018-7-27 10:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
mos开关, 电压跌落, MOS管, dc, 升压


如图所示，有一款产品采用锂离子电池供电、通过一个pmos加上物理开关作为整机开关。
mos管后端是一个dcdc升压ic 。

设备开机以后pmos导通，后端加电 。   单片机控制dcdc的EN脚使能升压，当使能升压dc的瞬间造成MOS管输出脚电压跌落

单片机复位。（电压跌落约1.5V）

测试1  ：导线短路mos管，电压跌落约0.25V ，工作正常。
测试2：用几十毫欧电阻替代mos管，电压跌落0.25V，工作正常。

现怀疑是mos管的米勒效应造成不能快速给后端提供电流。
但是弥勒效应好像是mos开通瞬间才有的现象，现在我们mos一直开通，仅仅后面dc打开瞬间造成跌落。
尝试给mos管GS并联电容，并无改善。

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沙发
xmar| | 2018-7-27 11:45 | 只看该作者
很可能是Vbat电压太低，导致PMOS管的Vgs太小，PMOS的导通电阻Ron变大，开启升压芯片时负载电流大，所以造成PMOS管输出脚电压跌落。

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板凳
CatKing| | 2018-7-27 12:02 | 只看该作者
AO3407是适用于VGS=-10V的，电流只有3.5A@70C
你确定这些参数适合你的电路？

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地板
huarana|  楼主 | 2018-7-27 13:07 | 只看该作者
CatKing 发表于 2018-7-27 12:02
AO3407是适用于VGS=-10V的，电流只有3.5A@70C
你确定这些参数适合你的电路？

换过几款mos管收效甚微。  你有没有什么合适的型号推荐？   能达到3V左右导通的。    我测过SI4435  ，AO3415。。都不行

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5楼
huarana|  楼主 | 2018-7-27 13:07 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-7-27 11:45
很可能是Vbat电压太低，导致PMOS管的Vgs太小，PMOS的导通电阻Ron变大，开启升压芯片时负载电流大，所以造成 ...

测试出现跌落的时候输入电压为3V。  可调电压源。

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6楼
一周一天班| | 2018-7-27 13:24 | 只看该作者
本帖最后由 一周一天班 于 2018-7-27 13:27 编辑

mos管脚对吗？

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7楼
xmar| | 2018-7-27 13:40 | 只看该作者
huarana 发表于 2018-7-27 13:07
测试出现跌落的时候输入电压为3V。  可调电压源。

3V电压低了。

AO3407改为PNP三极管S8550. 开关S2串联1K电阻。

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8楼
huarana|  楼主 | 2018-7-27 14:14 | 只看该作者
xmar 发表于 2018-7-27 13:40
3V电压低了。

AO3407改为PNP三极管S8550. 开关S2串联1K电阻。

又测了一下，改成开通电压更低的AO3415A后 跌落基本达到可接受范围。 只有0.3V。

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9楼
tty1| | 2018-7-31 15:21 | 只看该作者
huarana 发表于 2018-7-27 14:14
又测了一下，改成开通电压更低的AO3415A后 跌落基本达到可接受范围。 只有0.3V。 ...

AO3407导通电压高，DC-DC开通瞬间工作在放大状态。AO3415A导通电压低，DC-DC是否开通都工作在开关状态。

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