我有点不理解您的意思，我不是专业做电源的，但是我看上面那个图，PWM关闭的时候，光耦驱动器OFF，也就是OUT=GND（6脚和5脚“短路”）也就是Q12的Vgs=0，MOS关闭，此时续流二极管工作，电感放电，MOS的Vs电压是-0.7V(假设二极管电压0.7)，此时C3电容，上面是12v-0.7V（二极管压降），下面是-0.7V，即电容两端电压是12v充电。当PWM开通的时候，OUT=VCC,即11.3V，因为在开通之前是关闭状态，关闭状态的时候，Vs=-0.7V，所以当光耦开启的时候，Vgs是11.3-（-0.7）=12V，MOS管开启，在开启的过程中，Vs的电压慢慢的上升，导致C3上端电压被抬升，当MOS完全开启的时候，Vs=24V，此时VCC脚电压是36V，保证了MOS的开启，电容C3即可理解成自举电容，不过芯片工作会有最大11mA（30V）的电流，在PWM开启的时候，会导致C3电压缓慢下降，所以MOS不能长时间保持开启，可以算出保持开启的时间，应该比PWM高电平时间长，以上是个人愚见，不知您说的ICCxRL是什么原因造成的，如果有错误，还希望指正，虚心请教，勿喷，谢谢
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