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型号:HC3600M参数：30V8A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，超低结电容445pF， 封装：贴片（SOT23-3），低开启电压1.5V，超低结电容，低内阻，超低结电容,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强 HC3600M优势替代CJ3406 CJ3434 CJ3400 CJ3400A CJ3402 CJ3404 CJ2304 CJ2306 CJ2307 AO3400 A09T 替代AO3402 替代AO3404 替代AO3406 ,替代SI2304内阻更低，价格更优 深圳市惠新晨电子有限公司 周工 手机15889768528 QQ:2945356936 深圳市宝安区西乡街道宝源路1053号资信达大厦 深圳市惠新晨电子致力于研发销售高品质中低压场效应MOS管产品，不断创新及提供高性价比的产品来满足市场的需求，为客户提供最可靠最具性价比的产品，**不断创新，不断改善 新晨电子拥有一支有丰富半导体经验的设计、研发、和销售团队，团队多数成员在世界一流公司有过丰富的工作经验 惠新晨电子广泛整合国外先进的生产技术和丰富的人力资源，在产品和市场上不断开拓创新 欢迎新老朋友、厂家来电商谈合作事宜 惠新晨电子是您永远值得信赖的合作伙伴
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