自己搭建了一个简单的高边MosFet驱动电路。电路图见附件(High side P-MOSFET Driver图片格式不清晰可下载pdf格式)。
驱动很容易自激震荡。求解释。https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=attachment&aid=MTA3MzIyOHw2ZGVhZDg1MmYwMzE4NDFkNzJkMWRmMWM3OWQ1OTVhMnwxNzMwODAyODM2&request=yes&_f=.bmp
电路简单描述下:
输入:100Hz方波,TTL电平。12V供电光耦隔离,输出电平调整成11V左右。三极管U463集电极串联电阻分压,使得集电极输出端电压满足P-MOSFET栅极电压Ugs=-11V。
输出:MOSFET驱动输出负载范围:50R~800R。实际测试加载负载从100R~100K。
栅极电阻Rgs、分压电阻R657、R661试验取值全在原理图上有标注。供参考。
输出波形见附件以及附件说明。
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