高边P-MosFet驱动能力问题

登录 · 发表于 2018-8-10 17:20

自己搭建了一个简单的高边MosFet驱动电路。电路图见附件（High side P-MOSFET Driver图片格式不清晰可下载pdf格式）。
驱动很容易自激震荡。求解释。https://bbs.21ic.com/forum.php?mod=attachment&aid=MTA3MzIyOHwxMDU3Yzg1ZHwxNzYwNjk0NDI4fDB8
电路简单描述下:
输入：100Hz方波，TTL电平。12V供电光耦隔离，输出电平调整成11V左右。三极管U463集电极串联电阻分压，使得集电极输出端电压满足P-MOSFET栅极电压Ugs=-11V。
输出：MOSFET驱动输出负载范围：50R~800R。实际测试加载负载从100R~100K。
栅极电阻Rgs、分压电阻R657、R661试验取值全在原理图上有标注。供参考。
输出波形见附件以及附件说明。

发表于 2018-8-10 17:37

你的示波器上，黄色和绿色波形各是电原理图中哪一点的波形？TP1和TP2？

发表于 2018-8-10 19:07

搞这么费劲, 最后驱动部分, 还是一大堆的电阻, 失败的设计啊

发表于 2018-8-23 08:44

maychang 发表于 2018-8-10 17:37
你的示波器上，黄色和绿色波形各是电原理图中哪一点的波形？TP1和TP2？

TP1波形为光耦输出，高电平12V左右，低电平为零，TP2为高边P-MOSFET输出电压，高电平为48V，低电平为36V左右.TP3为MOSFET功率输出波形，为48V的一个方波。

发表于 2018-8-23 08:49

maychang 发表于 2018-8-10 17:37
你的示波器上，黄色和绿色波形各是电原理图中哪一点的波形？TP1和TP2？

该电路昨天抽时间调试完成了。整体电路没有出现什么大问题。就是光耦采用分压供电，供电不足。最终外接DC电源就可以正常使用。
最终发现出现震荡的原因不是由该电路引起。是由前面PWM未画出部分一个电源反馈控制的与门的反馈信号（电流过大跳变）震荡引起

[电路/定理] 高边P-MosFet驱动能力问题

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