nand flash的读写算法问题

发表于 2018-8-14 09:56

对NAND FLASH 我之前的读写逻辑是,写入后马上读一次,如果一样就认为写入了,不一样就认为是坏块,认为写入了就一定能读出来,但现在大规模测试时有成功写入但读不出来的情况,这个我可以做冗余来处理,(ECC已经做过了).但我不太明白,SD卡,U盘,SSD和我这用的是一样的东西啊,他们不存在写成功,但读不出来的情况啊.它们也没用一半的容量去做冗余啊.

发表于 2018-8-16 10:38

大家是怎么处理的呢?

发表于 2018-8-20 00:17

z_no1 发表于 2018-8-16 10:38
大家是怎么处理的呢?

这个大家都没有遇到吗?还是有现成的坏块管理算**

发表于 2018-8-20 08:30

写后读，可能用的指令是读page buffer。一般ecc足够。可能你程序没写好。

发表于 2018-8-20 08:51

我就是写后读,通过了才算成功,但这样,我在后面的读里面,也会发生一个页有一个或多个位翻转的问题.而且是随机的,同一个页这次读正常,过会下次读就不正常了,再下次读又正常了.货是通过专门的代理商买的.应该不会假的,除非质量本来就不行.是NAND512,镁光的.64M*8BIT

发表于 2018-8-20 08:52

我写了个老化程序,每5分钟对全部页写一遍,读3编,用个2-3天陆续就有坏块爆出.

发表于 2018-8-20 16:25

程序问题。从来没这样问题。

发表于 2018-8-20 18:43

能分享一下么？接法就是推荐接法，芯片是stm32f103zet6

发表于 2018-8-21 08:54

我的内容读出后会做一次CRC32的校验,(CRC32校验值放在附加页里)所以能检测出ECC检测不出来的错误.读出错的概率的确不大,按2天出一个,600x4096=2457600次才有2个bit出错.一般情况下也比较难遇到这么多的写操作.

nand flash的读写算法问题

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