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从一实际错误, 总结出来的一三极管道题.

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楼主
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 10:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
三极管
下图有错误吗?什么错误??如果把负载放在三极管上边还有错吗? 什么错误??

(特别感谢 awey  和 xwj)

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沙发
t.jm| | 2008-4-24 11:04 | 只看该作者

IO口有正确设为输出吗?AVR的驱动能力蛮强的不应出现这种情

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板凳
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 11:52 | 只看该作者

答案:

简单的说: 就是MCU IO输出0的时候, PNP三极管C级电压被拉到0v以上, 导致B级被拉高到C级电压, 最总导致电路中没有一个量是逻辑1或0 , 造成电路不稳定...

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地板
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 11:56 | 只看该作者

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5楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 12:00 | 只看该作者

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6楼
awey| | 2008-4-24 12:11 | 只看该作者

不是很明白你的问题

不过建议你在驱动较大电流负载时用MOS管，现在价格也不高了

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7楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 12:32 | 只看该作者

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8楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 12:36 | 只看该作者

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9楼
xwj| | 2008-4-24 12:42 | 只看该作者

是你自己没用对电路结构，换什么单片机都没用

左边的三极管，发射极传腺瘤电阻，集电极直接接地才行
不然肯定会饱和压降特大

换什么单片机都没用的

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10楼
xwj| | 2008-4-24 12:45 | 只看该作者

或者不要左边那个三极管，把它的EB脚直接接起来

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11楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 17:33 | 只看该作者

xwj总是一语中的

"左边的三极管，发射极传限流电阻，集电极直接接地才行
不然肯定会饱和压降特大"

每次xwj总是一语中的. 不过, 这个达林顿结构也没用错啊...我又查了查, 贴图如下(现搜的..)

说明: Q16是接MCUIO, 16是驱动LED的.

而且: 

xwj大侠多解释一下啊...

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12楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 17:36 | 只看该作者

而且这个电路是当时经过很多人的检查的...

我一直没有怀疑达林顿结构接错了...

因为在很多书上也能找到啊...

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13楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 17:43 | 只看该作者

"饱和压降特大"

google到的: 
"饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降."

按我学习的数电知识: 饱和压降应该很小.

请xwj大侠指出错误..

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14楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 18:08 | 只看该作者

这个样子才行???

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15楼
xwj| | 2008-4-24 18:33 | 只看该作者

就是这个意思

至于饱和压降，自己去想三极管导通的条件，然后逐个三极管分析

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16楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 20:59 | 只看该作者

这回丢人了...

低级错误.....

负载在过大电流时会把电压拉的很好,甚至 反置BC级电压....

见仿真...


建议版主删贴....(太丢人了....)

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17楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 21:16 | 只看该作者

谢谢 xwj 的热心挑错

单单看2三极管根本看不出问题来, 加上负载一仿真就出问题了....

看了N久才意识到自己犯了一个多么没有技术含量的错误.....

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18楼
sinanjj|  楼主 | 2008-4-24 22:48 | 只看该作者

又做了个仿真,

可能我的解释还是不完全, 

请 xwj 分析一下.... 

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19楼
awey| | 2008-4-24 23:14 | 只看该作者

就是达林顿结构的连接，饱和压降也大不到哪里去

饱和压降＝第一个管的饱和压降（小于0.3V）+第二个管的VBE（小于0.7V）

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20楼
杨真人| | 2008-4-25 02:10 | 只看该作者

从自我感觉良好到发现真有不足是一种进步.

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