从一实际错误, 总结出来的一三极管道题.

发表于 2008-4-24 10:57

下图有错误吗?什么错误??如果把负载放在三极管上边还有错吗? 什么错误?? (特别感谢 awey  和 xwj)

发表于 2008-4-24 11:04

发表于 2008-4-24 11:52

简单的说: 就是MCU IO输出0的时候, PNP三极管C级电压被拉到0v以上, 导致B级被拉高到C级电压, 最总导致电路中没有一个量是逻辑1或0 , 造成电路不稳定...

发表于 2008-4-24 11:56

删

发表于 2008-4-24 12:00

删

发表于 2008-4-24 12:11

不过建议你在驱动较大电流负载时用MOS管，现在价格也不高了

发表于 2008-4-24 12:32

删

发表于 2008-4-24 12:36

删

发表于 2008-4-24 12:42

左边的三极管，发射极传腺瘤电阻，集电极直接接地才行 不然肯定会饱和压降特大 换什么单片机都没用的

发表于 2008-4-24 12:45

发表于 2008-4-24 17:33

"左边的三极管，发射极传限流电阻，集电极直接接地才行 不然肯定会饱和压降特大" 每次xwj总是一语中的. 不过, 这个达林顿结构也没用错啊...我又查了查, 贴图如下(现搜的..) 说明: Q16是接MCUIO, 16是驱动LED的. 而且:  xwj大侠多解释一下啊...

发表于 2008-4-24 17:36

我一直没有怀疑达林顿结构接错了... 因为在很多书上也能找到啊...

发表于 2008-4-24 17:43

google到的:  "饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降." 按我学习的数电知识: 饱和压降应该很小. 请xwj大侠指出错误..

发表于 2008-4-24 18:08

发表于 2008-4-24 18:33

至于饱和压降，自己去想三极管导通的条件，然后逐个三极管分析

发表于 2008-4-24 20:59

低级错误..... 负载在过大电流时会把电压拉的很好,甚至 反置BC级电压.... 见仿真... 建议版主删贴....(太丢人了....)

发表于 2008-4-24 21:16

单单看2三极管根本看不出问题来, 加上负载一仿真就出问题了.... 看了N久才意识到自己犯了一个多么没有技术含量的错误.....

发表于 2008-4-24 22:48

可能我的解释还是不完全,  请 xwj 分析一下....

发表于 2008-4-24 23:14

饱和压降＝第一个管的饱和压降（小于0.3V）+第二个管的VBE（小于0.7V）

发表于 2008-4-25 02:10

IO口有正确设为输出吗?AVR的驱动能力蛮强的不应出现这种情