电源冗余电路MOSFET的驱动问题

登录 · 发表于 2011-8-9 19:38

各位大虾们，我从来没有用过MOSFET，虽然了解其原理，但是缺乏应用经验，现在要做一个电源冗余电路，要求是这样的：主路电源（24VDC）为常备电源，只要没有电压异常就一直使用它，一旦其电压异常则切换至辅路电源（电池24VDC），工作电流最大30A，切换开关使用N-MOSFET，使用MCU采集主路、辅路以及输出的电压及电流，电路中有一15VDC电源，拟使用它来做N-MOSFET的控制电源，现在我有一个疑问：因为是做电源冗余用，N-MOSFET为高边驱动方式，15VDC是否能正常打开它并且能够维持其正常工作？敬请各位大虾指点，谢谢！

发表于 2011-8-9 20:24

15V打开MOS管没有问题。
不过，既然是切换，那么怎么不用两个管子，而是用了4个呢？简单不更好吗？

发表于 2011-8-10 08:57

使用背靠背的方式是避免主路和辅路之间通过寄生二极管联通，如果不用这种方式，如果主路上失电，当这个模块的电源切换至辅路后，则会出现辅路电源倒灌给主路电源的情况，会出问题的。

发表于 2011-8-10 09:24

p channel

发表于 2011-8-10 09:43

请教gxs64:如果使用P-MOSFET的话，在这个应用中使用15V或者24V电压是否能完全的关断呢？

发表于 2011-8-10 09:50

接上，P-MOSFET的导通电阻比N-MOSFET的要高不少，这个大电流散热问题比较头疼。

发表于 2011-8-10 10:01

这个还真的不了解，学习了

登录 · 发表于 2011-8-10 10:02

发表于 2011-8-10 10:20

谢谢gxs64的参考图，请问应用中是否要用J108将R102短掉才行？我找到导通电阻最低的P-MOSFET的导通电阻是2.4mR,假设过30A电流的话，每个MOSFET上的耗散是2.16W，背靠背方式一共是耗散4.32W，是否需要加散热片？贴片的MOSFET不好加散热片啊:dizzy:

发表于 2011-8-10 10:28

请问应用中是否要用J108将R102短掉才行？---这与你的Vin有关。导通电压多要看DATASHEET。

发表于 2011-8-10 10:47

我明白了，谢谢gxs64的指导，也就是说在这个高边应用中如果我还是用N-MOSFET的话，必须要使用Vin+Vgs的电平来控制它的G极才能完全打开。而使用P-MOSFET则需要使用低于Vin - |Vgs|V的电压就可以打开它，如果关闭它的话N-MOSFET使用0V或者负压，P-MOSFET只要是Vin或者高于Vin就可以。

发表于 2011-8-10 12:12

与Iout还有一定关系。

发表于 2011-8-10 12:49

P沟的Rds比N沟的大多了，楼主的电流达到30A建议还是用N沟的MOSFET.

发表于 2011-8-10 13:16

是的，比较了一下，与其在散热上伤脑筋还不如搞两个高边驱动芯片，还是用N-MOSFET吧，因为我想把电流余量留的大一些，做到50A。

发表于 2015-8-4 16:13

正在做电源模块，参考下

发表于 2015-8-4 16:14

双mosfet,不用芯片怎么做

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