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电源冗余电路MOSFET的驱动问题

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楼主
各位大虾们,我从来没有用过MOSFET,虽然了解其原理,但是缺乏应用经验,现在要做一个电源冗余电路,要求是这样的:主路电源(24VDC)为常备电源,只要没有电压异常就一直使用它,一旦其电压异常则切换至辅路电源(电池24VDC),工作电流最大30A,切换开关使用N-MOSFET,使用MCU采集主路、辅路以及输出的电压及电流,电路中有一15VDC电源,拟使用它来做N-MOSFET的控制电源,现在我有一个疑问:因为是做电源冗余用,N-MOSFET为高边驱动方式,15VDC是否能正常打开它并且能够维持其正常工作?敬请各位大虾指点,谢谢!

MOSFET 驱动电路.jpg (219.75 KB )

MOSFET 驱动电路.jpg

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沙发
lymex| | 2011-8-9 20:24 | 只看该作者
15V打开MOS管没有问题。
不过,既然是切换,那么怎么不用两个管子,而是用了4个呢?简单不更好吗?

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板凳
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 08:57 | 只看该作者
使用背靠背的方式是避免主路和辅路之间通过寄生二极管联通,如果不用这种方式,如果主路上失电,当这个模块的电源切换至辅路后,则会出现辅路电源倒灌给主路电源的情况,会出问题的。

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地板
gxs64| | 2011-8-10 09:24 | 只看该作者
p channel

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5
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 09:43 | 只看该作者
请教gxs64:如果使用P-MOSFET的话,在这个应用中使用15V或者24V电压是否能完全的关断呢?

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6
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 09:50 | 只看该作者
接上,P-MOSFET的导通电阻比N-MOSFET的要高不少,这个大电流散热问题比较头疼。

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7
jy1975jy1975| | 2011-8-10 10:01 | 只看该作者
这个还真的不了解,学习了

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8
gxs64| | 2011-8-10 10:02 | 只看该作者

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9
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 10:20 | 只看该作者
谢谢gxs64的参考图,请问应用中是否要用J108将R102短掉才行?我找到导通电阻最低的P-MOSFET的导通电阻是2.4mR,假设过30A电流的话,每个MOSFET上的耗散是2.16W,背靠背方式一共是耗散4.32W,是否需要加散热片?贴片的MOSFET不好加散热片啊:dizzy:

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10
gxs64| | 2011-8-10 10:28 | 只看该作者
请问应用中是否要用J108将R102短掉才行?---这与你的Vin有关。导通电压多要看DATASHEET。

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11
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 10:47 | 只看该作者
我明白了,谢谢gxs64的指导,也就是说在这个高边应用中如果我还是用N-MOSFET的话,必须要使用Vin+Vgs的电平来控制它的G极才能完全打开。而使用P-MOSFET则需要使用低于Vin - |Vgs|V的电压就可以打开它,如果关闭它的话N-MOSFET使用0V或者负压,P-MOSFET只要是Vin或者高于Vin就可以。

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12
gxs64| | 2011-8-10 12:12 | 只看该作者
与Iout还有一定关系。

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13
gaohq| | 2011-8-10 12:49 | 只看该作者
P沟的Rds比N沟的大多了,楼主的电流达到30A建议还是用N沟的MOSFET.

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14
水工鸟|  楼主 | 2011-8-10 13:16 | 只看该作者
是的,比较了一下,与其在散热上伤脑筋还不如搞两个高边驱动芯片,还是用N-MOSFET吧,因为我想把电流余量留的大一些,做到50A。

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15
hao_north| | 2015-8-4 16:13 | 只看该作者
正在做电源模块,参考下

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16
hao_north| | 2015-8-4 16:14 | 只看该作者
双mosfet,不用芯片怎么做

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