本帖最后由 muzisanpi 于 2018-8-16 11:22 编辑
我指的是软件存储/回读，不是断电自动存储、上电自动回读，最近因为项目原因，需要用到这方面的功能，按照说明书上的这方面的介绍，依次读取了六个地址序列，但实现不了软件存储与回读的功能，有没有朋友有这方面的经验，能不能分享下代码？拜谢！
我用的是CY14B101LA（其实大多数NVSRAM芯片的软件存储/回读的操作步骤都是一样的），附上电路图与相应部分的程序，求大佬们解惑！
在主函数中，我对SRAM写了第一个数组（已经验证写进去了），并对第一个数组进行了软件存储操作，然后在SRAM中写了第二个数组（已经验证写进去了），随后调用软件回读函数，再读取SRAM中的数值，得到的却是第二个数组，说明软件存储/回读操作根本就没有产生作用。
我自己也检查了原因，首先STM32与CY14B101LA是通过FMC连接的，FMC的配置是没有问题的，因为它可以正常读写，然后CY14B101LA的断电自动存储、上电自动回读是没问题的，已经验证过，其次，根据说明书上写的，软件存储操作中，“在输入地址序列中第六个地址后，将立即开始存储周期，并且芯片将被禁用。HSB 被驱动为低电平。经过 tSTORE 周期时长后，再次激活SRAM，以进行读和写操作”，但通过我用示波器抓取波形，发现在读取他给出的地址序列时，读取前后，HSB引脚一直为高电平，我觉得问题在这里。
求大佬们帮帮忙啊，这个问题困扰了我好几天了。
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