RAM、ROM、SRAM、DRAM、SSRAM、SDRAM、FLASH、EEPROM
RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
ROM(Read-Only Memory)只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。
SRAM（Static RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
DRAM（Dynamic RAM）每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。
因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM的速率高、性能好，它主要有如下应用：
1）CPU与主存之间的高速缓存。
2）CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。
SSRAM（Synchronous SRAM）即同步静态随机存取存储器。同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。
对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同，异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。
SDRAM（Synchronous DRAM）即同步动态随机存取存储器。同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
MRAM：DRAM的替代者
FLASH 即闪存。它是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意 : NOR Flash 为字节写存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
{
NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且
NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较
}
EEPROM 即电子可擦除只读存储器。EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
* 串行EEPROM（I2C http://blog.csdn.net/kala111/article/details/50965051 / SPI）
* 并行EEPROM
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flash按接口分有总线flash，SPI flash。
总线flash需要你的MCU上有外部总线接口，SPI flash就是通过SPI口对flash进行读写。
速度上，总线flash比SPI的快，但是SPI的便宜。
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