耗尽型MOSFET偏置

发表于 2018-8-20 12:04

之前，给了个JFET的偏置，详见

https://bbs.21ic.com/icview-2543128-1-1.html

发表于 2018-8-20 12:08

有人提到“最大动态范围”，还说挺简单的。确实，是挺简单的。不过，其简单在于图解。

下面看看两个分压偏置。

登录 · 发表于 2018-8-20 12:10

分压偏置

发表于 2018-8-20 12:13

可能有人说那输出都不对称。正常，非线性！

发表于 2018-8-21 06:19

耗尽型, 应该会用到负电压. 所以用恩雅电阻应该达不到完整控制

发表于 2018-8-21 10:00

airwill 发表于 2018-8-21 06:19
耗尽型, 应该会用到负电压. 所以用恩雅电阻应该达不到完整控制

耗尽型MOSFET是压控电流源器件，就电流而言分压偏置可以完整控制。但由于分压偏置中Rs较大，由Rs所造成的压降导致其输出电压最大摆幅较小。与之相比，自偏置（可以认为是分压偏置的一种特性情况）的Rs较小，由此导致的压降也较小，所以可以得到较大的输出电压摆幅。而采用负电压的固定偏置，取消了Rs（Rs=0），则可以得到最大的输出电压摆幅（其仅受管压降的影响）。

发表于 2018-8-21 11:14

HWM 发表于 2018-8-21 10:00
耗尽型MOSFET是压控电流源器件，就电流而言分压偏置可以完整控制。但由于分压偏置中Rs较大，由Rs所造成的 ...

这算是说到点子上了，JFET，采用分压偏置，无疑是既增加了复杂性，还不带来什么其他优点、缺点还不少，从输出动态能力而言，采用负压偏置无疑是最佳选择，可惜，一般的系统，尤其是单极性电源供电系统，增加一个负压，又不是一个好的选择。
由于JFET的输出的恒流特性，可以非常良好的对抗由于电源电压变化造成的工作电流变化，或者说如果你以RD的压降为工作点的话，不需要任何其他措施，自偏置就是一个自稳定系统，天然的具有对抗VCC波动的能力（电源抑制比），这个恰恰是分压偏置的缺点，而且，RS小，工作电压损失少，因此是最为好用也是最为广泛的一个用法。
取一个工作电流，查出栅极电压确定RS值，再计算RD，就这样OK了，设计还简单，你说呢？

发表于 2018-8-21 11:54

tianxj01 发表于 2018-8-21 11:14
这算是说到点子上了，JFET，采用分压偏置，无疑是既增加了复杂性，还不带来什么其他优点、缺点还不少，从 ...

加入Rs，实际上是引入了电流串联负反馈。由此可以改善线性和稳定性，当然也损失了增益和输出摆幅。

[电子元器件] 耗尽型MOSFET偏置

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