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[电路/定理]

帮看看PWM电路里面两颗MOS管都被击穿

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本帖最后由 saganick 于 2018-8-22 23:12 编辑

各位帮看看,这个电路里面,两颗MOS管都被击穿了(拆下来量,3个脚相互短路了),这个可能的原因有哪些呢?那颗电容会有影响吗?还是说是驱动芯片的时序出错了?(抱歉只有这一小段图...)
E:\MOS.PNG

MOS.PNG (43.65 KB )

MOS.PNG
评论
xxmMQ 2018-9-1 17:04 回复TA
得看电流 
saganick 2018-8-30 21:57 回复TA
@xch :主要是产品是在客户手中发生MOS烧坏的,总的市场不良率在0.4%左右。现在板子拿到手上了,换了一组MOS管后,很难复现到现象...现在也没有什么验证方向... 
xch 2018-8-29 21:10 回复TA
@saganick :渡越时间拉长。可能无死区,造成FET烧毁 
saganick 2018-8-29 19:23 回复TA
@xch :是说这两颗电容会影响MOS的关断时间吗?还是其他什么影响呢? 
xch 2018-8-23 10:34 回复TA
你先空载测 Q26的空载电流。安全起见,串联个10ohm电阻。测电阻上的电压。 如果大于10uA。 驱动有问题。 C67,C69 拿掉 
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king5555 + 1 对。两电容坏事。

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沙发
airwill| | 2018-8-23 07:17 | 只看该作者
电容倒不是问题,  先说说怎么坏的吧,  因为大都是负载引起的

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板凳
gx_huang| | 2018-8-23 07:47 | 只看该作者
4.7nF电容似乎大了一些,如果驱动能力足够,问题也不大。
大部分是过流烧坏的。
也有可能是过压击穿(比如急停,电机反向充电)。
如果是设计阶段,也许是死区不够。
总之,自己先测试,分析什么情况下损坏。

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地板
bjzssg| | 2018-8-23 07:47 | 只看该作者
负载电流有多大,开关频率是多少?有没有做死区时间控制,两个电容会将降开关速度,增加开关损耗。

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5
saganick|  楼主 | 2018-8-23 08:21 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2018-8-23 07:47
4.7nF电容似乎大了一些,如果驱动能力足够,问题也不大。
大部分是过流烧坏的。
也有可能是过压击穿(比如 ...

这是量产阶段的,烧的这几台也都是客户使用一段时间后发生的。能说说驱动能力和那颗电容的关系么? 我不清楚这颗电容会不会延缓下MOS管的关断时间...
另外,电机反向充电时什么情况呢?

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6
gx_huang| | 2018-8-23 08:31 | 只看该作者
saganick 发表于 2018-8-23 08:21
这是量产阶段的,烧的这几台也都是客户使用一段时间后发生的。能说说驱动能力和那颗电容的关系么? 我不 ...

1、电容是否有影响,示波器测试波形即可分析,看看波形是否比较好。
2、电机反向充电,这是常识,做电机控制的不可能不知道,比如长下坡,电机会发电呀。比如大功率的变频器,只要负载的物理惯性大,都会加制动电阻的,否则,必然烧坏所有东西。电瓶车驱动,电源的滤波电容很多,容量要足够,软件算法也有关系。

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7
hyh403| | 2018-8-29 16:15 | 只看该作者
我记得TI的官方文档不是这样的,为什么设计的参数不按照官方来,或者自己能分析为什么选这样的参数,每1颗电阻电容参数选择都是有理由,另外控制方面,MOS管控制主要的安全特性是死区的控制,这个芯片应该自带保护,那可能是负载过大引起的。

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8
qinlu123| | 2018-8-31 10:24 | 只看该作者
我业余搞了个220V的变频器也老烧MOS,愁死人了。

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9
zyj9490| | 2018-9-1 19:05 | 只看该作者
限压也没有。难怪会被击穿啊(电感性负载)。

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评论
jejejy 2018-10-17 19:52 回复TA
按你这个,限压和反向电流,mos并数欧数十欧电阻+电容,或者 TVS都行 建议下次给出措施,我目前找不到以前图了,贴不了 
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