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[电子元器件] BJT的分压偏置

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
电阻, 发射极
之前说了BJT的发射极（电阻）偏置，下面进一步考虑其分压偏置。

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:04 来自手机 | 显示全部楼层
分压偏置-1

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:07 | 显示全部楼层
注意上面利用了《电路分析》中的戴维南等效。

下面，继续采用《电路分析》中的网孔电流法。

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:08 来自手机 | 显示全部楼层
分压偏置-2

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:14 | 显示全部楼层
在一定条件下，BJT若采用分压偏置，则其电路特性（包括静态工作点和增益）近似与BJT的具体参数无关。这点，使得分压偏置在BJT放大电路中使用很广。

下面，为了能近似得到其输出的最大摆幅，给个大致的关系。
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参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 赞。若考虑温度变动时，最佳R2的偏置电流为Ib的十至十五倍。

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 楼主| HWM 发表于 2018-8-23 12:16 来自手机 | 显示全部楼层
电阻关系

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