实测一个光耦参数，与DATASHEET相差很大，为什么呢

只看该作者 · 2008-5-12 09:50

实测一个光耦参数，与DATASHEET相差很大，为什么呢

图1是光耦参数测试电路，图2是实际电路。VCC是+5V，VCC1是有+24V电源经过7805得到的+5V，24VGND是+24V地。

1) 在图一中，测试光耦参数：

光耦选用4N35：
    R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 1k,    Io = 4.78mA.   Vce = 0.22V, CTR = 1.23(饱和)
    R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 330,    Io = 9.82mA.   Vce = 1.76V, CTR = 2.53
    R1 = 1K, If = 3.88mA, R2 = 51,    Io = 12.25mA.  Vce = 4.38V, CTR = 3.15
    与DATASHEET中的IC VS Vce 参数相差很大?。图中CTR大概为1（图中没有IF=3.88mA的曲线，但其应该在5mA曲线下边。在VCE<5V时，CTR也就1点几吧）
（如果选用6N135光耦，测得的CTR与其手册差不多，为0.3左右）

2) 另外    IC VS Vce 与CTR VS TEMP 两图不相符?

3) 对于图2中的实际电路，有几处疑问

    a: 电路中为什么要多用一个VCC1的电源?直接接+24V不行吗
    b: 电阻R3在电路中起什么作用？是不是接在B处更好？

只看该作者 · 2008-5-12 09:51

只看该作者 · 2008-5-12 09:54

1万 · 2008-5-12 11:00

首先：你的器件不是线性光耦，不同的If电流对应的CRT当然不同
其次：小If对应的CRT大
再者：不同的Vce对应的三极管放大倍数也是不同的，所以CRT也是不同的

只看该作者 · 2008-5-12 11:32

根据IC VS Vce图，IF=3.88mA时，CTR不会大到2.53，3.15

对于不同的VCE，只要不是处于饱和状态，CTR应该不会相差太多吧、

只看该作者 · 2008-5-12 11:45

4万 · 2008-5-12 12:31

主要检测离散性，如果离散性不大可认为是合格的。4N系列的生产厂很多，不同厂家的产品参数有出入也正常，但离散性不能大。另外，4N系列在市场上存在大量翻新货，这类货往往存在隐患，主要表现就是离散性过大，不得不防。

只看该作者 · 2008-5-12 19:01

另外，还测试了PC817光耦，传输比和4N35差不多，而DATASHEET上的曲线几乎和前边的图相同。

2万 · 2008-5-12 22:14

1. 实测与 Datasheets 并无矛盾, 楼主理解有偏差 (或说过于理想化).

Datasheets 一般都既有表格又有图. 如果要追究严格数据, 应以表格为准, 图不准再正常不过 ( 谁敢从图上量个数据拿去做严格的设计依据? ). 曲线的主要作用是反映相对的趋势.

光耦的 CTR 本身就是个离散性非常大的参数, 同一型号的 CTR 相差 10 倍也正常! 所以某些型号会根据 CTR 划分很多档. 4N35 没有分档, 但相差几倍算不了什么.

2. 两图不矛盾. 楼主没仔细看, 第二个是"归一化"曲线

2万 · 2008-5-12 22:24

a: 电路中为什么要多用一个VCC1的电源?直接接+24V不行吗

反正电路中有 VCC1, 干吗不用. 4N35 的 VCE 大概能到 30V, 按理接 24V 也没问题. 但让我设计还是宁愿用低些的电压:
(1) 24V 已经比较接近 30V 了, 不符合降额使用的习惯 ( 有一定心理因素 )
(2) 24V 下暗电流会比较大
(3) 24V 下电阻和光耦 ( 切换瞬间过程中 ) 功耗较大

b: 电阻R3在电路中起什么作用？是不是接在B处更好？

理论上接在B处也可以. 我倾向于接图中位置, 更安全, 或者说更合算, 楼主仔细算算暗电流影响就会明白.