问个VBE(sat)和VBE(on)区别的问题

只看该作者 · 2011-8-11 12:52

本帖最后由 xiaoing 于 2011-8-11 13:01 编辑

S9013数据手册中Base-Emitter Saturation VoltageVBE(sat)和Base-Emitter On VoltageVBE(on)有什么区别？假如三极管工作在饱和状态，计算Vbe时应该以什么为准？

SS9013.pdf (40.31 KB)

3万 · 2011-8-11 16:47

区别就在于此。

是否应用饱和的数值，要看你的管子饱和深度。表中给出的是相当深的饱和，若你的管子饱和没有那么深，则基极-发射极电压要略小于表中的值。

只看该作者 · 2011-8-11 17:03

谢谢maychang，看了些书，我现在的理解是VBE(on)在这里就是使发射结正向偏置的电压，也就是康华光的模拟电子技术（第四版）40页中所指的门坎电压Vth。VBE(sat)是继续增大偏置电流IB后晶体管进入饱和状态后的VBE电压。所以偏置电流IB不同，VBE就不同。而用哪个VBE，则需要结合具体的偏置电流IB来看。