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问个VBE(sat)和VBE(on)区别的问题

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楼主
xiaoing|  楼主 | 2011-8-11 12:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EMI, emitter, ev, ge, se
本帖最后由 xiaoing 于 2011-8-11 13:01 编辑

S9013数据手册中Base-Emitter Saturation VoltageVBE(sat)和Base-Emitter On VoltageVBE(on)有什么区别？假如三极管工作在饱和状态，计算Vbe时应该以什么为准？
SS9013.pdf (40.31 KB)

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沙发
maychang| | 2011-8-11 16:47 | 只看该作者
区别就在于此。

是否应用饱和的数值，要看你的管子饱和深度。表中给出的是相当深的饱和，若你的管子饱和没有那么深，则基极-发射极电压要略小于表中的值。

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板凳
xiaoing|  楼主 | 2011-8-11 17:03 | 只看该作者
谢谢maychang，看了些书，我现在的理解是VBE(on)在这里就是使发射结正向偏置的电压，也就是康华光的模拟电子技术（第四版）40页中所指的门坎电压Vth。VBE(sat)是继续增大偏置电流IB后晶体管进入饱和状态后的VBE电压。所以偏置电流IB不同，VBE就不同。而用哪个VBE，则需要结合具体的偏置电流IB来看。

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地板
wufeng198829| | 2011-8-16 14:13 | 只看该作者
楼主，我想说如果工作在饱和状态，VBE和VCE也有关系，具体可以看共发射极电路的输入特性曲线。如果工作在放大状态，VBE只和IB有关系了。

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5楼
chenbeyond| | 2011-8-16 16:03 | 只看该作者
LZ后面的理解正确,三极管都可以看成是两个PN结组成（基极和发射极，基极和集电极）,VBE(on)就是基极和发射极的PN结正向导通时的门坎电压.Base-Emitter Saturation VoltageVBE(sat)是基极和发射极饱和电压

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