打印

DDR3参数问题

[复制链接]
1625|1
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
彭段环|  楼主 | 2018-9-3 00:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
DDR3, vi, AC, vr, se
大家好:
         看了DDR3的规范,对其中的一些参数不太懂,主要有以下两点:
         第一点,在JESD79-3E规范里面有如图一所示的定义,即VIH.CA(AC125),VIH.CA(AC135),VIH.CA(AC150),VIH.CA(AC175)以及VIL.CA(AC125),VIL.CA(AC135),VIL.CA(AC150)和VIL.CA(AC175),对这些参数的由来不太清楚,而规范中提到了:VIH(ac) is used as a simplified symbol for VIH.CA(AC175), VIH.CA(AC150),VIH.CA(AC135), andVIH.CA(AC125); VIH.CA(AC175) value is used when Vref + 0.175V is referenced, VIH.CA(AC150) value is used when Vref + 0.150V is referenced, VIH.CA(AC135) value is used when Vref + 0.135V is referenced, and VIH.CA(AC125) value is used when Vref + 0.125V is referenced。
        尤其对黄色字体的解释理解是不是  当 “选取的参考电压” 等于Vref+0.175时,则VIH.CA的范围值就规定为Vref+0.175到某一个最大值,当 “选取的参考电压” 等于Vref+0.135时,则VIH.CA的范围值就规定为Vref+0.135到某一个最大值,即这个“选取的参考电压”对于某一片DDR3来说难道不是固定的,而是可以人为的去选取设定大小吗??还是指Vref(t)超过了Vref标准值(0.75V)的0.175或者0.135等,才认定VIH.CA的范围值就规定为Vref+0.175或Vref+0.135等呢??又或者是可以通过DDR3芯片寄存器参数去设定这个值呢??       第二点,如图二所示,规范里面提到了在CL = 6,CWL = 5(以DRR3-1600H为例)与 CL = 6,CWL = 6的两种情况下tck(AVG)分别属于[2.5,3.3](ns)和[1.875,2.5)(ns)的两个范围,按笔者的理解:这两个CL 和 CWL参数貌似是可以分别设置的??是不是表示通过设置这两个参数就可以更改DDR3的时钟周期???     如果可以更改的话,笔者的问题又来了:为什么之前问FPGA同事时,他们说这个FPGA6(Spartan系列)对外接DDR3的接口无法更改DDR3的时钟周期呢??  难道FPGA6对外接DDR3的模块式固化的而不能更改??

参数AC175等.bmp (704.9 KB )

图一

图一

DDR3的CL和CWL参数.bmp (781.22 KB )

图二

图二

相关帖子

沙发
tyw| | 2018-9-3 09:23 | 只看该作者
DDR3_SO-DIMM.pdf (2.19 MB)
针对DDR2-800和DDR3的PCB信号完整性设计.pdf (1.53 MB)
MODULE4_20_18_SO-DDR3_204PIN_DESIGN_SPECIFICATION_V2.0.pdf (14.13 MB)

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

56

主题

137

帖子

0

粉丝