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关于FLASH存储器与ARM的布局

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yang4133|  楼主 | 2011-8-15 08:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ARM, Flash存储器, LPC, LPC2478, pc
现在正在布一块ARM的板子，里面有个FLASH存储器，地址线和数据线加起来可能有20-30根吧，根据我的布局存储器放在ARM底层应是最好的，这样布局会在ARM内部走很多线。不知道存储器与ARM会不会产生干扰。ARM用的是LPC2478。望各位高手帮帮忙。谢谢！

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沙发
jjjyufan| | 2011-8-15 11:29 | 只看该作者
几层板？贴图看看？速度多少？

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板凳
riverpeak| | 2011-8-15 11:41 | 只看该作者
最好放在同一层方便焊接调试，ARM是很抗干扰的，你所谓的怕干扰也就是电源和时钟什么的

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地板
yang4133|  楼主 | 2011-8-15 12:29 | 只看该作者
1.是两层板。公司是保密单位，发图肯定不行。晶振只有18M吧，我听程序人员说用PLL可以倍频到60~70多M吧。
2.我也想放在顶层，但是这样走线变长，布线乱，于其它信号线相交的也比较多。而且结构已经定好，如果放在顶层体积大了。

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5楼
riverpeak| | 2011-8-15 14:13 | 只看该作者
面积限制的话就双面布局吧，双面布局没有你想象的那么简单，你试试看。

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6楼
jjjyufan| | 2011-8-15 16:22 | 只看该作者
最高也就60-70M，没有你想象中的那么“恐怖”
如果都这样，那五六百兆的，甚至更高的，岂不要怕死了。

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7楼
pa2792| | 2011-8-15 19:59 | 只看该作者
主要的还是把电源处理好，电源稳定干净，基本就不会出现问题。
双面布局，走线面积相对减少，同时元器件密度大，所有要尽量让预拉线最短。
IC的VCC、GND同面加一个去耦电容，去耦电容跟VCC、GND构成回路尽量最短；同时不允许去耦电容经过孔再到VCC。

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8楼
yang4133|  楼主 | 2011-8-15 22:01 | 只看该作者
去耦电容不打过孔实现起来比较困难。

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9楼
viatuzi| | 2011-8-16 16:00 | 只看该作者
flash的走线基本上问题不大吧。

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10楼
sczhangyl| | 2011-9-7 10:29 | 只看该作者
走线时注意一下就行了，问题不大！

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11楼
haolaishi| | 2011-9-11 11:32 | 只看该作者
mark

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